Portes sur le chemin critique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Portes sur le chemin critique = Cycle de service*(Hors courant*(10^Tension du collecteur de base))/(Capacité de la porte au canal*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Cette formule utilise 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilisées
[BoltZ] - बोल्ट्झमन स्थिर Valeur prise comme 1.38064852E-23
Variables utilisées
Portes sur le chemin critique - Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.
Cycle de service - Un cycle de service ou cycle d'alimentation est la fraction d'une période pendant laquelle un signal ou un système est actif.
Hors courant - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'arrêt d'un interrupteur est une valeur inexistante dans la réalité. Les vrais interrupteurs ont normalement un très faible courant de coupure, parfois appelé courant de fuite.
Tension du collecteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Capacité de la porte au canal - (Mesuré en Farad) - La capacité de la grille au canal est la capacité due au chevauchement des régions de source et de canal par la grille en polysilicium et est indépendante de la tension appliquée.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Cycle de service: 1.3E-25 --> Aucune conversion requise
Hors courant: 0.01 Milliampère --> 1E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Tension du collecteur de base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Aucune conversion requise
Capacité de la porte au canal: 5.1 Millifarad --> 0.0051 Farad (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Évaluer ... ...
Ng = 0.000957058919420363
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.000957058919420363 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.000957058919420363 0.000957 <-- Portes sur le chemin critique
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

17 Mesures de puissance CMOS Calculatrices

Portes sur le chemin critique
Aller Portes sur le chemin critique = Cycle de service*(Hors courant*(10^Tension du collecteur de base))/(Capacité de la porte au canal*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Courant de contention dans les circuits rationés
Aller Conflit actuel = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Courant de porte+Courant de jonction)
Fuite sous le seuil via les transistors OFF
Aller Courant sous-seuil = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant de porte+Conflit actuel+Courant de jonction)
Fuite de grille à travers le diélectrique de grille
Aller Courant de porte = (Puissance statique CMOS/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de jonction)
Commutation de sortie à la consommation d'énergie de la charge
Aller Commutation de sortie = Consommation d'énergie de charge capacitive/(Capacité de charge externe*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie)
Consommation d'énergie de la charge capacitive
Aller Consommation d'énergie de charge capacitive = Capacité de charge externe*Tension d'alimentation^2*Fréquence du signal de sortie*Commutation de sortie
Puissance de commutation
Aller Puissance de commutation = Facteur d'activité*(Capacitance*Tension du collecteur de base^2*Fréquence)
Facteur d'activité
Aller Facteur d'activité = Puissance de commutation/(Capacitance*Tension du collecteur de base^2*Fréquence)
Rapport de rejet d'alimentation
Aller Taux de rejet de l'alimentation = 20*log10(Ondulation de la tension d'entrée/Ondulation de tension de sortie)
Puissance de commutation dans CMOS
Aller Puissance de commutation = (Tension positive^2)*Fréquence*Capacitance
Énergie de commutation dans CMOS
Aller Commutation d'énergie dans CMOS = Énergie totale en CMOS-Énergie de fuite dans CMOS
Énergie de fuite dans CMOS
Aller Énergie de fuite dans CMOS = Énergie totale en CMOS-Commutation d'énergie dans CMOS
Énergie totale en CMOS
Aller Énergie totale en CMOS = Commutation d'énergie dans CMOS+Énergie de fuite dans CMOS
Alimentation en court-circuit dans CMOS
Aller Alimentation en court-circuit = Puissance dynamique-Puissance de commutation
Puissance dynamique en CMOS
Aller Puissance dynamique = Alimentation en court-circuit+Puissance de commutation
Puissance totale en CMOS
Aller Pouvoir total = Puissance statique CMOS+Puissance dynamique
Puissance statique en CMOS
Aller Puissance statique CMOS = Pouvoir total-Puissance dynamique

Portes sur le chemin critique Formule

Portes sur le chemin critique = Cycle de service*(Hors courant*(10^Tension du collecteur de base))/(Capacité de la porte au canal*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

Qu’est-ce que la conduction sous-seuil ?

La conduction sous-seuil ou la fuite sous-seuil ou le courant de drain sous-seuil est le courant entre la source et le drain d'un MOSFET lorsque le transistor est dans la région sous-seuil, ou dans la région à faible inversion, c'est-à-dire pour les tensions grille-source inférieures à la tension de seuil.

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