Tensione gate-to-source in ingresso Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione critica - (Misurato in Volt) - La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.
Resistenza dell'amplificatore di ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza dell'amplificatore di ingresso è la resistenza che si oppone al flusso di corrente quando entra nel transistor.
Resistenza della sorgente equivalente - (Misurato in Ohm) - La resistenza equivalente della sorgente è una misura dell'opposizione totale al flusso di corrente in un circuito elettrico, tenendo conto della resistenza della sorgente e di eventuali componenti del circuito parallelo.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la tensione rilevata all'ingresso del transistor.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Resistenza dell'amplificatore di ingresso: 1.4 Kilohm --> 1400 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
Resistenza della sorgente equivalente: 10.2 Ohm --> 10.2 Ohm Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 9.4 Volt --> 9.4 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin --> (1400/(1400+10.2))*9.4
Valutare ... ...
Vc = 9.33200964402212
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
9.33200964402212 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
9.33200964402212 9.33201 Volt <-- Tensione critica
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
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Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
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20 Voltaggio Calcolatrici

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source
​ Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
Tensione di uscita del gate comune
​ Partire Tensione di uscita = -(Transconduttanza*Tensione critica)*((Resistenza al carico*Resistenza al cancello)/(Resistenza al cancello+Resistenza al carico))
Tensione di ingresso della sorgente
​ Partire Tensione di ingresso della sorgente = Tensione di ingresso*(Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale
​ Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
Tensione gate-to-source in ingresso
​ Partire Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso
​ Partire Tensione gate-source = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET
​ Partire Corrente di ingresso = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Tensione di overdrive quando il MOSFET funge da amplificatore con resistenza di carico
​ Partire Transconduttanza = Corrente totale/(Segnale di ingresso in modalità comune-(2*Corrente totale*Resistenza di uscita))
Segnale di tensione incrementale dell'amplificatore differenziale
​ Partire Segnale di ingresso in modalità comune = (Corrente totale/Transconduttanza)+(2*Corrente totale*Resistenza di uscita)
Tensione al Drain Q1 del MOSFET
​ Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione al Drain Q2 nel MOSFET
​ Partire Tensione di uscita = -(Resistenza di carico totale del MOSFET/(2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione di saturazione del MOSFET
​ Partire Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
Tensione di overdrive
​ Partire Tensione di overdrive = (2*Assorbimento di corrente)/Transconduttanza
Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive
​ Partire Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+1.4*Tensione effettiva
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET
​ Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET
​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di soglia quando il MOSFET funge da amplificatore
​ Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva
Tensione di soglia del MOSFET
​ Partire Soglia di voltaggio = Tensione gate-source-Tensione effettiva

Tensione gate-to-source in ingresso Formula

Tensione critica = (Resistenza dell'amplificatore di ingresso/(Resistenza dell'amplificatore di ingresso+Resistenza della sorgente equivalente))*Tensione di ingresso
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
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