Tensão de entrada porta-fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão Crítica - (Medido em Volt) - Tensão Crítica é a fase mínima para a tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.
Resistência do amplificador de entrada - (Medido em Ohm) - A resistência do amplificador de entrada é a resistência que se opõe ao fluxo de corrente que entra no transistor.
Resistência de Fonte Equivalente - (Medido em Ohm) - A Resistência Equivalente da Fonte é uma medida da oposição total ao fluxo de corrente em um circuito elétrico, levando em consideração a resistência da fonte e quaisquer componentes do circuito paralelo.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - A tensão de entrada é a tensão detectada na entrada do transistor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Resistência do amplificador de entrada: 1.4 Quilohm --> 1400 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
Resistência de Fonte Equivalente: 10.2 Ohm --> 10.2 Ohm Nenhuma conversão necessária
Tensão de entrada: 9.4 Volt --> 9.4 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin --> (1400/(1400+10.2))*9.4
Avaliando ... ...
Vc = 9.33200964402212
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
9.33200964402212 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
9.33200964402212 9.33201 Volt <-- Tensão Crítica
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi criou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!
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Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

20 Tensão Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Tensão de saída da porta comum
​ Vai Voltagem de saída = -(Transcondutância*Tensão Crítica)*((Resistência de carga*Resistência do portão)/(Resistência do portão+Resistência de carga))
Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ Vai Tensão de dreno Q1 = -Resistência de saída*(Transcondutância*Sinal de entrada de modo comum)/(1+(2*Transcondutância*Resistência de saída))
Tensão através do Gate e Fonte do MOSFET na Operação com Tensão de Entrada Diferencial
​ Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+sqrt((2*Corrente de polarização DC)/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela))
Tensão de entrada da fonte
​ Vai Tensão de entrada da fonte = Tensão de entrada*(Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))
Tensão de entrada porta-fonte
​ Vai Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET dado sinal de modo comum
​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída/((1/Transcondutância)+2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão através do portão e fonte do MOSFET dada a corrente de entrada
​ Vai Tensão Gate-Fonte = Corrente de entrada/(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Tensão Positiva dada o Parâmetro do Dispositivo no MOSFET
​ Vai Corrente de entrada = Tensão Gate-Fonte*(Frequência angular*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Tensão de overdrive quando o MOSFET atua como amplificador com resistência de carga
​ Vai Transcondutância = Corrente Total/(Sinal de entrada de modo comum-(2*Corrente Total*Resistência de saída))
Sinal de Tensão Incremental do Amplificador Diferencial
​ Vai Sinal de entrada de modo comum = (Corrente Total/Transcondutância)+(2*Corrente Total*Resistência de saída)
Tensão no dreno Q1 do MOSFET
​ Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão no Dreno Q2 no MOSFET
​ Vai Voltagem de saída = -(Resistência de Carga Total do MOSFET/(2*Resistência de saída))*Sinal de entrada de modo comum
Tensão de saturação do MOSFET
​ Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
Tensão Overdrive
​ Vai Tensão de ultrapassagem = (2*Corrente de drenagem)/Transcondutância
Tensão de saída no dreno Q1 do MOSFET
​ Vai Tensão de dreno Q1 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
Tensão de saída no dreno Q2 do MOSFET
​ Vai Tensão de dreno Q2 = -(Resistência de saída*Corrente Total)
Tensão através do Gate para a Fonte do MOSFET na Tensão de Entrada Diferencial dada a Tensão Overdrive
​ Vai Tensão Gate-Fonte = Tensão de limiar+1.4*Tensão Efetiva
Tensão limite quando o MOSFET atua como amplificador
​ Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Tensão limite do MOSFET
​ Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva

Tensão de entrada porta-fonte Fórmula

Tensão Crítica = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência de Fonte Equivalente))*Tensão de entrada
Vc = (Rin/(Rin+Rse))*Vin
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