Tension porte-source d'entrée Calculatrice

✖La résistance de l’amplificateur d’entrée est la résistance qui s’oppose au flux de courant lorsqu’il entre dans le transistor.ⓘ Résistance de l'amplificateur d'entrée [R_in]			+10% -10%
✖La résistance équivalente de la source est une mesure de l'opposition totale au flux de courant dans un circuit électrique, en tenant compte de la résistance de la source et de tous les composants du circuit parallèle.ⓘ Résistance de source équivalente [R_se]			+10% -10%
✖La tension d'entrée est la tension détectée à l'entrée du transistor.ⓘ Tension d'entrée [V_in]			+10% -10%

✖La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.ⓘ Tension porte-source d'entrée [V_c]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Tension porte-source d'entrée

Formule

`"V"_{"c"} = ("R"_{"in"}/("R"_{"in"}+"R"_{"se"}))*"V"_{"in"}`

Exemple

`"9.33201V"=("1.4kΩ"/("1.4kΩ"+"10.2Ω"))*"9.4V"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF PDF Image

Tension porte-source d'entrée Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée
V_c = (R_in/(R_in+R_se))*V_in
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension critique - (Mesuré en Volt) - La tension critique est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Résistance de l'amplificateur d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance de l’amplificateur d’entrée est la résistance qui s’oppose au flux de courant lorsqu’il entre dans le transistor.
Résistance de source équivalente - (Mesuré en Ohm) - La résistance équivalente de la source est une mesure de l'opposition totale au flux de courant dans un circuit électrique, en tenant compte de la résistance de la source et de tous les composants du circuit parallèle.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la tension détectée à l'entrée du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de l'amplificateur d'entrée: 1.4 Kilohm --> 1400 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de source équivalente: 10.2 Ohm --> 10.2 Ohm Aucune conversion requise
Tension d'entrée: 9.4 Volt --> 9.4 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_c = (R_in/(R_in+R_se))*V_in --> (1400/(1400+10.2))*9.4

Évaluer ... ...

V_c = 9.33200964402212

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

9.33200964402212 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

9.33200964402212 ≈ 9.33201 Volt <-- Tension critique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Tension » Tension porte-source d'entrée

Crédits

Créé par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension porte-source d'entrée Formule

Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée
V_c = (R_in/(R_in+R_se))*V_in

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!