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Eingangs-Gate-Source-Spannung Taschenrechner
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Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Der Eingangsverstärkerwiderstand ist der Widerstand, der dem Stromfluss beim Eintritt in den Transistor entgegenwirkt.
ⓘ
Widerstand des Eingangsverstärkers [R
in
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Der äquivalente Quellenwiderstand ist ein Maß für den Gesamtwiderstand des Stromflusses in einem Stromkreis unter Berücksichtigung des Widerstands der Quelle und aller parallelen Schaltungskomponenten.
ⓘ
Äquivalenter Quellenwiderstand [R
se
]
Abohm
EMU von Widerstands
ESU der Widerstands
Exaohm
Gigaohm
Kiloohm
Megahm
Mikroohm
Milliohm
Nanohm
Ohm
Petaohm
Planck-Impedanz
Quanten-Hall-Widerstand
Reziproker Siemens
Statohm
Volt pro Ampere
Yottaohm
Zettaohm
+10%
-10%
✖
Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.
ⓘ
Eingangsspannung [V
in
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
ⓘ
Eingangs-Gate-Source-Spannung [V
c
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Eingangs-Gate-Source-Spannung
Formel
`"V"_{"c"} = ("R"_{"in"}/("R"_{"in"}+"R"_{"se"}))*"V"_{"in"}`
Beispiel
`"9.33201V"=("1.4kΩ"/("1.4kΩ"+"10.2Ω"))*"9.4V"`
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Eingangs-Gate-Source-Spannung Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kritische Spannung
= (
Widerstand des Eingangsverstärkers
/(
Widerstand des Eingangsverstärkers
+
Äquivalenter Quellenwiderstand
))*
Eingangsspannung
V
c
= (
R
in
/(
R
in
+
R
se
))*
V
in
Diese formel verwendet
4
Variablen
Verwendete Variablen
Kritische Spannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die kritische Spannung ist die minimale Phase der Neutralleiterspannung, die entlang des gesamten Außenleiters leuchtet und auftritt.
Widerstand des Eingangsverstärkers
-
(Gemessen in Ohm)
- Der Eingangsverstärkerwiderstand ist der Widerstand, der dem Stromfluss beim Eintritt in den Transistor entgegenwirkt.
Äquivalenter Quellenwiderstand
-
(Gemessen in Ohm)
- Der äquivalente Quellenwiderstand ist ein Maß für den Gesamtwiderstand des Stromflusses in einem Stromkreis unter Berücksichtigung des Widerstands der Quelle und aller parallelen Schaltungskomponenten.
Eingangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Die Eingangsspannung ist die am Eingang des Transistors erfasste Spannung.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Widerstand des Eingangsverstärkers:
1.4 Kiloohm --> 1400 Ohm
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Äquivalenter Quellenwiderstand:
10.2 Ohm --> 10.2 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsspannung:
9.4 Volt --> 9.4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
V
c
= (R
in
/(R
in
+R
se
))*V
in
-->
(1400/(1400+10.2))*9.4
Auswerten ... ...
V
c
= 9.33200964402212
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
9.33200964402212 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
9.33200964402212
≈
9.33201 Volt
<--
Kritische Spannung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)
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Eingangs-Gate-Source-Spannung
Credits
Erstellt von
Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie
(VIT Vellore)
,
Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Parminder Singh
Chandigarh-Universität
(KU)
,
Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!
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20 Stromspannung Taschenrechner
Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung
Gehen
Leitfähigkeit des Kanals
=
Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals
*
Oxidkapazität
*
Kanalbreite
/
Kanallänge
*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)
Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung
Gehen
Ausgangsspannung
= -(
Steilheit
*
Kritische Spannung
)*((
Lastwiderstand
*
Torwiderstand
)/(
Torwiderstand
+
Lastwiderstand
))
Eingangsspannung der Quelle
Gehen
Eingangsspannung der Quelle
=
Eingangsspannung
*(
Widerstand des Eingangsverstärkers
/(
Widerstand des Eingangsverstärkers
+
Äquivalenter Quellenwiderstand
))
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung
Gehen
Gate-Source-Spannung
=
Grenzspannung
+
sqrt
((2*
DC-Vorstrom
)/(
Transkonduktanzparameter verarbeiten
*
Seitenverhältnis
))
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
Gehen
Drain-Spannung Q1
= -
Ausgangswiderstand
*(
Steilheit
*
Gleichtakt-Eingangssignal
)/(1+(2*
Steilheit
*
Ausgangswiderstand
))
Eingangs-Gate-Source-Spannung
Gehen
Kritische Spannung
= (
Widerstand des Eingangsverstärkers
/(
Widerstand des Eingangsverstärkers
+
Äquivalenter Quellenwiderstand
))*
Eingangsspannung
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal
Gehen
Drain-Spannung Q2
= -(
Ausgangswiderstand
/((1/
Steilheit
)+2*
Ausgangswiderstand
))*
Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom
Gehen
Gate-Source-Spannung
=
Eingangsstrom
/(
Winkelfrequenz
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET
Gehen
Eingangsstrom
=
Gate-Source-Spannung
*(
Winkelfrequenz
*(
Source-Gate-Kapazität
+
Gate-Drain-Kapazität
))
Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert
Gehen
Steilheit
=
Gesamtstrom
/(
Gleichtakt-Eingangssignal
-(2*
Gesamtstrom
*
Ausgangswiderstand
))
Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers
Gehen
Gleichtakt-Eingangssignal
= (
Gesamtstrom
/
Steilheit
)+(2*
Gesamtstrom
*
Ausgangswiderstand
)
Spannung am Drain Q1 des MOSFET
Gehen
Ausgangsspannung
= -(
Gesamtlastwiderstand des MOSFET
/(2*
Ausgangswiderstand
))*
Gleichtakt-Eingangssignal
Spannung am Drain Q2 im MOSFET
Gehen
Ausgangsspannung
= -(
Gesamtlastwiderstand des MOSFET
/(2*
Ausgangswiderstand
))*
Gleichtakt-Eingangssignal
Sättigungsspannung des MOSFET
Gehen
Drain- und Source-Sättigungsspannung
=
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung
Gehen
Gate-Source-Spannung
=
Grenzspannung
+1.4*
Effektive Spannung
Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert
Gehen
Grenzspannung
=
Gate-Source-Spannung
-
Effektive Spannung
Schwellenspannung des MOSFET
Gehen
Grenzspannung
=
Gate-Source-Spannung
-
Effektive Spannung
Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET
Gehen
Drain-Spannung Q1
= -(
Ausgangswiderstand
*
Gesamtstrom
)
Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET
Gehen
Drain-Spannung Q2
= -(
Ausgangswiderstand
*
Gesamtstrom
)
Overdrive-Spannung
Gehen
Overdrive-Spannung
= (2*
Stromverbrauch
)/
Steilheit
Eingangs-Gate-Source-Spannung Formel
Kritische Spannung
= (
Widerstand des Eingangsverstärkers
/(
Widerstand des Eingangsverstärkers
+
Äquivalenter Quellenwiderstand
))*
Eingangsspannung
V
c
= (
R
in
/(
R
in
+
R
se
))*
V
in
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