Calculadora Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

✖La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.ⓘ Corriente de drenaje de saturación [i_ds]			+10% -10%
✖El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'_n]			+10% -10%
✖El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.ⓘ Ancho del canal [W_c]			+10% -10%
✖La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%

✖El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.ⓘ Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET [V_ov]

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Fórmula

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Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Fórmula

`"V"_{"ov"} = sqrt(2*"i"_{"ds"}/("k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")))`

Ejemplo

`"0.122949V"=sqrt(2*"4.721mA"/("0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")))`

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Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo o voltaje de sobreexcitación se denomina exceso de voltaje a través del óxido sobre el voltaje térmico.
Corriente de drenaje de saturación - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje de saturación se define como la corriente subumbral y varía exponencialmente con el voltaje de la puerta a la fuente.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia del proceso es el producto de la movilidad de los electrones en el canal y la capacitancia del óxido.
Ancho del canal - (Medido en Metro) - El ancho del canal es la dimensión del canal de MOSFET.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal, L, que es la distancia entre las dos uniones -p.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Corriente de drenaje de saturación: 4.721 Miliamperio --> 0.004721 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Parámetro de transconductancia del proceso: 0.2 Amperio por voltio cuadrado --> 0.2 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Ancho del canal: 10.15 Micrómetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud del canal: 3.25 Micrómetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Evaluar ... ...

V_ov = 0.122949186508306

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.122949186508306 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Voltio <-- Voltaje efectivo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 18 Características del amplificador de transistores Calculadoras

Corriente que fluye a través del canal inducido en el transistor dado voltaje de óxido

Vamos Corriente de salida = (Movilidad del electrón*Capacitancia de óxido*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral))*Voltaje de saturación entre drenaje y fuente

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET

Vamos Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))

Voltaje de entrada Voltaje de señal dado

Vamos Voltaje del componente fundamental = (Resistencia de entrada finita/(Resistencia de entrada finita+Resistencia de la señal))*Pequeño voltaje de señal

Terminal de drenaje de entrada actual de MOSFET en saturación

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)*(Voltaje efectivo)^2

Parámetro de transconductancia del transistor MOS

Vamos Parámetro de transconductancia = Corriente de drenaje/((Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente)

Corriente de drenaje instantánea usando voltaje entre el drenaje y la fuente

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia*(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)*Voltaje entre puerta y fuente

Drenar la corriente del transistor

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje del componente fundamental+Voltaje total de drenaje instantáneo)/Resistencia al drenaje

Voltaje de drenaje instantáneo total

Vamos Voltaje total de drenaje instantáneo = Voltaje del componente fundamental-Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje

Voltaje de entrada en transistor

Vamos Voltaje del componente fundamental = Resistencia al drenaje*Corriente de drenaje-Voltaje total de drenaje instantáneo

Transconductancia de amplificadores de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = (2*Corriente de drenaje)/(Voltaje a través del óxido-Voltaje umbral)

Señal de corriente en el emisor dada la señal de entrada

Vamos Corriente de señal en el emisor = Voltaje del componente fundamental/Resistencia del emisor

Resistencia de entrada del amplificador de colector común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje del componente fundamental/Corriente base

Entrada de amplificador de amplificador de transistores

Vamos Entrada del amplificador = Resistencia de entrada*Corriente de entrada

Resistencia de salida del circuito de puerta común dada la tensión de prueba

Vamos Resistencia de salida finita = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Transconductancia utilizando la corriente de colector del amplificador de transistores

Vamos Transconductancia primaria MOSFET = Colector actual/Voltaje umbral

Corriente de prueba del amplificador de transistores

Vamos Corriente de prueba = Voltaje de prueba/Resistencia de entrada

Resistencia de entrada del circuito de puerta común

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de prueba/Corriente de prueba

Ganancia de corriente CC del amplificador

Vamos DC ganancia de corriente = Colector actual/Corriente base

Voltaje efectivo general de la transconductancia MOSFET Fórmula

Voltaje efectivo = sqrt(2*Corriente de drenaje de saturación/(Parámetro de transconductancia del proceso*(Ancho del canal/Longitud del canal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

¿Cuál es la diferencia entre impedancia y resistencia?

La resistencia se define simplemente como la oposición al flujo de corriente eléctrica en el circuito. La impedancia es oposición al flujo de corriente alterna debido a tres componentes que son resistivos, inductivos o capacitivos. Es una combinación de resistencia y reactancia en un circuito.

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