Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie Rekenmachine

✖Verzadigingsafvoerstroom wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.ⓘ Verzadigingsafvoerstroom [i_ds]			+10% -10%
✖De procestransconductantieparameter is het product van de mobiliteit van elektronen in kanaal- en oxidecapaciteit.ⓘ Procestransconductantieparameter [k'_n]			+10% -10%
✖Kanaalbreedte is de afmeting van het MOSFET-kanaal.ⓘ Breedte van kanaal [W_c]			+10% -10%
✖De lengte van het kanaal, L, wat de afstand is tussen de twee -p-overgangen.ⓘ Lengte van het kanaal [L]			+10% -10%

✖Effectieve spanning of overdrive-spanning is een overmaat aan spanning over oxide ten opzichte van thermische spanning.ⓘ Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie [V_ov]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Formule

`"V"_{"ov"} = sqrt(2*"i"_{"ds"}/("k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")))`

Voorbeeld

`"0.122949V"=sqrt(2*"4.721mA"/("0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Karakteristieken van de transistorversterker Formules Pdf

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - Effectieve spanning of overdrive-spanning is een overmaat aan spanning over oxide ten opzichte van thermische spanning.
Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met de poort-bronspanning.
Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De procestransconductantieparameter is het product van de mobiliteit van elektronen in kanaal- en oxidecapaciteit.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - Kanaalbreedte is de afmeting van het MOSFET-kanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal, L, wat de afstand is tussen de twee -p-overgangen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verzadigingsafvoerstroom: 4.721 milliampère --> 0.004721 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Procestransconductantieparameter: 0.2 Ampère per vierkante volt --> 0.2 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Breedte van kanaal: 10.15 Micrometer --> 1.015E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3.25 Micrometer --> 3.25E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Evalueren ... ...

V_ov = 0.122949186508306

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.122949186508306 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Volt <-- Effectieve spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » Transistorversterkers » Karakteristieken van de transistorversterker » Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 Karakteristieken van de transistorversterker Rekenmachines

Stroom die door geïnduceerd kanaal in transistor vloeit, gegeven oxidespanning

Gaan Uitgangsstroom = (Mobiliteit van elektronen*Oxide capaciteit*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Spanning over oxide-Drempelspanning))*Verzadigingsspanning tussen afvoer en bron

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie

Gaan Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))

Huidige ingangsafvoeraansluiting van MOSFET bij verzadiging

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)*(Effectieve spanning)^2

Ingangsspanning gegeven signaalspanning

Gaan Fundamentele componentspanning = (Eindige ingangsweerstand/(Eindige ingangsweerstand+Signaal weerstand))*Kleine signaalspanning

Transconductantieparameter van MOS-transistor

Gaan Transconductantieparameter = Afvoerstroom/((Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron)

Onmiddellijke afvoerstroom met behulp van spanning tussen afvoer en bron

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter*(Spanning over oxide-Drempelspanning)*Spanning tussen poort en bron

Afvoerstroom van transistor

Gaan Afvoerstroom = (Fundamentele componentspanning+Totale momentane afvoerspanning)/Afvoerweerstand

Totale momentane afvoerspanning

Gaan Totale momentane afvoerspanning = Fundamentele componentspanning-Afvoerweerstand*Afvoerstroom

Ingangsspanning in transistor

Gaan Fundamentele componentspanning = Afvoerweerstand*Afvoerstroom-Totale momentane afvoerspanning

Transconductantie van transistorversterkers

Gaan MOSFET primaire transconductantie = (2*Afvoerstroom)/(Spanning over oxide-Drempelspanning)

Signaalstroom in emitter gegeven ingangssignaal

Gaan Signaalstroom in zender = Fundamentele componentspanning/Zenderweerstand

Transconductantie met behulp van collectorstroom van transistorversterker

Gaan MOSFET primaire transconductantie = Collectorstroom/Drempelspanning

Ingangsweerstand van Common-Collector-versterker

Gaan Ingangsweerstand = Fundamentele componentspanning/Basisstroom

Uitgangsweerstand van Common Gate Circuit gegeven testspanning

Gaan Eindige uitgangsweerstand = Testspanning/Teststroom

DC-stroomversterking van versterker

Gaan DC-stroomversterking = Collectorstroom/Basisstroom

Versterkeringang van transistorversterker

Gaan Versterker ingang = Ingangsweerstand*Invoerstroom

Ingangsweerstand van Common-Gate Circuit

Gaan Ingangsweerstand = Testspanning/Teststroom

Teststroom van transistorversterker

Gaan Teststroom = Testspanning/Ingangsweerstand

Totale effectieve spanning van MOSFET-transconductantie Formule

Effectieve spanning = sqrt(2*Verzadigingsafvoerstroom/(Procestransconductantieparameter*(Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

Wat is het verschil tussen impedantie en weerstand?

Weerstand wordt eenvoudigweg gedefinieerd als het verzet tegen de stroom van elektrische stroom in het circuit. Impedantie is het tegengestelde van de stroom van wisselstroom vanwege drie componenten die resistief, inductief of capacitief zijn. Het is een combinatie van zowel weerstand als reactantie in een circuit.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!