Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET calcolatrice

✖La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.ⓘ Corrente di drenaggio di saturazione [i_ds]			+10% -10%
✖Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.ⓘ Parametro di transconduttanza del processo [k'_n]			+10% -10%
✖La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%

✖La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.ⓘ Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET [V_ov]

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Formula

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Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Formula

`"V"_{"ov"} = sqrt(2*"i"_{"ds"}/("k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")))`

Esempio

`"0.122949V"=sqrt(2*"4.721mA"/("0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")))`

Calcolatrice

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Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.
Corrente di drenaggio di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Parametro di transconduttanza del processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente di drenaggio di saturazione: 4.721 Millampere --> 0.004721 Ampere (Controlla la conversione qui)
Parametro di transconduttanza del processo: 0.2 Ampere per Volt Quadrato --> 0.2 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Larghezza del canale: 10.15 Micrometro --> 1.015E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3.25 Micrometro --> 3.25E-06 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))

Valutare ... ...

V_ov = 0.122949186508306

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.122949186508306 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.122949186508306 ≈ 0.122949 Volt <-- Tensione effettiva

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 18 Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Partire Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))

Tensione di ingresso data tensione di segnale

Partire Tensione dei componenti fondamentali = (Resistenza di ingresso finita/(Resistenza di ingresso finita+Resistenza del segnale))*Piccola tensione di segnale

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Partire Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Corrente di scarico del transistor

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione dei componenti fondamentali+Tensione di drenaggio istantanea totale)/Resistenza allo scarico

Tensione di scarico totale istantanea

Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Transconduttanza degli amplificatori a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = (2*Assorbimento di corrente)/(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Ingresso amplificatore dell'amplificatore a transistor

Partire Ingresso dell'amplificatore = Resistenza in ingresso*Corrente in ingresso

Guadagno di corrente CC dell'amplificatore

Partire Guadagno di corrente CC = Corrente del collettore/Corrente di base

Resistenza di uscita del circuito di gate comune data la tensione di prova

Partire Resistenza di uscita finita = Prova di tensione/Prova corrente

Resistenza di ingresso del circuito di gate comune

Partire Resistenza in ingresso = Prova di tensione/Prova corrente

Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

Partire Prova corrente = Prova di tensione/Resistenza in ingresso

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET Formula

Tensione effettiva = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)))
V_ov = sqrt(2*i_ds/(k'_n*(W_c/L)))

Qual è la differenza tra impedenza e resistenza?

La resistenza è semplicemente definita come l'opposizione al flusso di corrente elettrica nel circuito. L'impedenza è l'opposizione al flusso di corrente alternata a causa di tre componenti che sono resistivi, induttivi o capacitivi. È una combinazione di resistenza e reattanza in un circuito.

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