Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L)))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen
Verwendete Funktionen
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Verwendete Variablen
Effektive Spannung - (Gemessen in Volt) - Als effektive Spannung oder Übersteuerungsspannung wird der Überschuss der Spannung am Oxid gegenüber der thermischen Spannung bezeichnet.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungs-Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter verarbeiten - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter des Prozesses ist das Produkt der Mobilität der Elektronen im Kanal und der Oxidkapazität.
Breite des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite ist die Abmessung des Kanals des MOSFET.
Länge des Kanals - (Gemessen in Meter) - Die Länge des Kanals L, also der Abstand zwischen den beiden -p-Übergängen.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Sättigungsstrom: 4.721 Milliampere --> 0.004721 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Transkonduktanzparameter verarbeiten: 0.2 Ampere pro Quadratvolt --> 0.2 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Breite des Kanals: 10.15 Mikrometer --> 1.015E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge des Kanals: 3.25 Mikrometer --> 3.25E-06 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L))) --> sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06)))
Auswerten ... ...
Vov = 0.122949186508306
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.122949186508306 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.122949186508306 0.122949 Volt <-- Effektive Spannung
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt
Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source
Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz
Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))
Eingangsspannung gegeben Signalspannung
Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung
Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung
Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2
Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors
Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)
Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source
Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source
Drainstrom des Transistors
Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand
Gesamte momentane Drain-Spannung
Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch
Eingangsspannung im Transistor
Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung
Steilheit von Transistorverstärkern
Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)
Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal
Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand
Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers
Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung
Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom
Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
Verstärkereingang des Transistorverstärkers
Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom
Gleichstromverstärkung des Verstärkers
Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom
Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung
Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom
Teststrom des Transistorverstärkers
Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz Formel

Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))
Vov = sqrt(2*ids/(k'n*(Wc/L)))

Was ist der Unterschied zwischen Impedanz und Widerstand?

Widerstand ist einfach definiert als der Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis. Die Impedanz ist dem Wechselstromfluss entgegengesetzt, da drei Komponenten resistiv, induktiv oder kapazitiv sind. Es ist eine Kombination aus Widerstand und Reaktanz in einem Stromkreis.

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