Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)
ni = sqrt(n0*p0)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portador intrínseco es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco.
Concentración de portadores mayoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores mayoritarios es el número de portadores en la banda de conducción sin polarización aplicada externamente.
Concentración de portadores minoritarios - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores minoritarios es el número de portadores en la banda de valencia sin sesgo aplicado externamente.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración de portadores mayoritarios: 110000000 1 por metro cúbico --> 110000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración de portadores minoritarios: 91000000 1 por metro cúbico --> 91000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
ni = sqrt(n0*p0) --> sqrt(110000000*91000000)
Evaluar ... ...
ni = 100049987.506246
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
100049987.506246 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
100049987.506246 1E+8 1 por metro cúbico <-- Concentración de portador intrínseco
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

16 Características del portador de carga Calculadoras

Concentración intrínseca
Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva en Banda de Valencia*Densidad Efectiva en Banda de Conducción)*e^((-Dependencia de la temperatura de la brecha de banda de energía)/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Sensibilidad de deflexión electrostática de CRT
Vamos Sensibilidad de deflexión electrostática = (Distancia entre placas deflectoras*Distancia de la pantalla y las placas deflectoras)/(2*Deflexión del haz*Velocidad de electrones)
Densidad de corriente debido a los electrones
Vamos Densidad de corriente de electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad de electrones*Intensidad de campo eléctrico
Densidad de corriente debido a agujeros
Vamos Agujeros Densidad de corriente = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad de Agujeros*Intensidad de campo eléctrico
Constante de difusión de electrones
Vamos Constante de difusión de electrones = Movilidad de electrones*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])
Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio
Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)
Constante de difusión de agujeros
Vamos Constante de difusión de agujeros = Movilidad de Agujeros*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])
Período de tiempo de electrón
Vamos Período de trayectoria circular de partículas = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensidad del campo magnético*[Charge-e])
Longitud de difusión del agujero
Vamos Longitud de difusión de agujeros = sqrt(Constante de difusión de agujeros*Vida útil del portador de orificios)
Fuerza sobre el elemento actual en el campo magnético
Vamos Fuerza = Elemento actual*Densidad de flujo magnético*sin(Ángulo entre planos)
Velocidad del electrón
Vamos Velocidad debido al voltaje = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaje)/[Mass-e])
Conductividad en metales
Vamos Conductividad = Concentración de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Velocidad del electrón en campos de fuerza
Vamos Velocidad del electrón en campos de fuerza = Intensidad de campo eléctrico/Intensidad del campo magnético
Voltaje Térmico
Vamos Voltaje Térmico = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]
Voltaje Térmico usando la Ecuación de Einstein
Vamos Voltaje Térmico = Constante de difusión de electrones/Movilidad de electrones
Densidad de corriente de convección
Vamos Densidad de corriente de convección = Cargar densidad*Velocidad de carga

Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio Fórmula

Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)
ni = sqrt(n0*p0)

¿Definir la concentración de portador de equilibrio?

El número de portadores en la banda de conducción y de valencia sin polarización aplicada externamente se denomina concentración de portadores de equilibrio. Para los portadores mayoritarios, la concentración de portadores de equilibrio es igual a la concentración de portadores intrínseca más el número de portadores libres añadidos dopando el semiconductor. En la mayoría de las condiciones, el dopaje del semiconductor es varios órdenes de magnitud mayor que la concentración de portadores intrínsecos, de modo que el número de portadores mayoritarios es aproximadamente igual al dopaje. En equilibrio, el producto de la concentración de portadores mayoritarios y minoritarios es una constante.

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