Calculadora Longitud de difusión del agujero

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Características del portador de carga

Características de los semiconductores

Características del diodo

Parámetros de funcionamiento del transistor

Parámetros electrostáticos

✖La constante de difusión de los agujeros se refiere a una propiedad del material que describe la velocidad a la que los agujeros se difunden a través del material en respuesta a un gradiente de concentración.ⓘ Constante de difusión de agujeros [D_p]			+10% -10%
✖Hole Carrier Lifetime se refiere al tiempo promedio que existe un agujero de portador minoritario en el material antes de recombinarse con un electrón y, por lo tanto, desaparecer.ⓘ Vida útil del portador de orificios [τ_p]			+10% -10%

✖La longitud de difusión de los agujeros se refiere a la distancia promedio que se mueve la carga relevante en el semiconductor.ⓘ Longitud de difusión del agujero [L_p]

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Fórmula

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Longitud de difusión del agujero

Fórmula

`"L"_{"p"} = sqrt("D"_{"p"}*"τ"_{"p"})`

Ejemplo

`"0.362214m"=sqrt("37485.39cm²/s"*"0.035s")`

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Longitud de difusión del agujero Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Longitud de difusión de agujeros = sqrt(Constante de difusión de agujeros*Vida útil del portador de orificios)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Longitud de difusión de agujeros - (Medido en Metro) - La longitud de difusión de los agujeros se refiere a la distancia promedio que se mueve la carga relevante en el semiconductor.
Constante de difusión de agujeros - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión de los agujeros se refiere a una propiedad del material que describe la velocidad a la que los agujeros se difunden a través del material en respuesta a un gradiente de concentración.
Vida útil del portador de orificios - (Medido en Segundo) - Hole Carrier Lifetime se refiere al tiempo promedio que existe un agujero de portador minoritario en el material antes de recombinarse con un electrón y, por lo tanto, desaparecer.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Constante de difusión de agujeros: 37485.39 Centímetro cuadrado por segundo --> 3.748539 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión aquí)
Vida útil del portador de orificios: 0.035 Segundo --> 0.035 Segundo No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L_p = sqrt(D_p*τ_p) --> sqrt(3.748539*0.035)

Evaluar ... ...

L_p = 0.362213838774832

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.362213838774832 Metro --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.362213838774832 ≈ 0.362214 Metro <-- Longitud de difusión de agujeros

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana

¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Verificada por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

< 16 Características del portador de carga Calculadoras

Concentración intrínseca

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva en Banda de Valencia*Densidad Efectiva en Banda de Conducción)*e^((-Dependencia de la temperatura de la brecha de banda de energía)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Sensibilidad de deflexión electrostática de CRT

Vamos Sensibilidad de deflexión electrostática = (Distancia entre placas deflectoras*Distancia de la pantalla y las placas deflectoras)/(2*Deflexión del haz*Velocidad de electrones)

Densidad de corriente debido a los electrones

Vamos Densidad de corriente de electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad de electrones*Intensidad de campo eléctrico

Densidad de corriente debido a agujeros

Vamos Agujeros Densidad de corriente = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad de Agujeros*Intensidad de campo eléctrico

Constante de difusión de electrones

Vamos Constante de difusión de electrones = Movilidad de electrones*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Concentración de portador intrínseco en condiciones de no equilibrio

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Concentración de portadores mayoritarios*Concentración de portadores minoritarios)

Constante de difusión de agujeros

Vamos Constante de difusión de agujeros = Movilidad de Agujeros*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Período de tiempo de electrón

Vamos Período de trayectoria circular de partículas = (2*3.14*[Mass-e])/(Intensidad del campo magnético*[Charge-e])

Longitud de difusión del agujero

Vamos Longitud de difusión de agujeros = sqrt(Constante de difusión de agujeros*Vida útil del portador de orificios)

Fuerza sobre el elemento actual en el campo magnético

Vamos Fuerza = Elemento actual*Densidad de flujo magnético*sin(Ángulo entre planos)

Velocidad del electrón

Vamos Velocidad debido al voltaje = sqrt((2*[Charge-e]*Voltaje)/[Mass-e])

Conductividad en metales

Vamos Conductividad = Concentración de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones

Velocidad del electrón en campos de fuerza

Vamos Velocidad del electrón en campos de fuerza = Intensidad de campo eléctrico/Intensidad del campo magnético

Voltaje Térmico

Vamos Voltaje Térmico = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Voltaje Térmico usando la Ecuación de Einstein

Vamos Voltaje Térmico = Constante de difusión de electrones/Movilidad de electrones

Densidad de corriente de convección

Vamos Densidad de corriente de convección = Cargar densidad*Velocidad de carga

Longitud de difusión del agujero Fórmula

Longitud de difusión de agujeros = sqrt(Constante de difusión de agujeros*Vida útil del portador de orificios)
L_p = sqrt(D_p*τ_p)

¿Cuál es el significado de la longitud de difusión?

La longitud de difusión del portador es un concepto fundamental en la física de semiconductores y se refiere a la distancia promedio que un portador de carga en exceso (electrón o hueco) puede viajar a través de un material semiconductor antes de recombinarse con un portador de carga opuesto o perderse. Es una medida de cuán lejos pueden difundirse los portadores desde su punto de generación.

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