Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka nośnika ładunku

Charakterystyka diody

Charakterystyka półprzewodników

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Koncentracja większości nośnych to liczba nośnych w paśmie przewodnictwa bez zewnętrznego odchylenia.ⓘ Koncentracja większości nośników [n₀]			+10% -10%
✖Koncentracja nośników mniejszościowych to liczba nośników w paśmie walencyjnym bez zewnętrznego odchylenia.ⓘ Koncentracja przewoźników mniejszościowych [p₀]			+10% -10%

✖Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.ⓘ Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych [n_i]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych

Formuła

`"n"_{"i"} = sqrt("n"_{"0"}*"p"_{"0"})`

Przykład

`"1E^8/m³"=sqrt("1.1e8/m³"*"9.1e7/m³")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka nośnika ładunku Formuły PDF PDF Image

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Koncentracja większości nośników*Koncentracja przewoźników mniejszościowych)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 3 Zmienne

Używane funkcje

sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)

Używane zmienne

Wewnętrzne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja nośnika wewnętrznego to liczba elektronów w paśmie przewodnictwa lub liczba dziur w paśmie walencyjnym w materiale wewnętrznym.
Koncentracja większości nośników - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja większości nośnych to liczba nośnych w paśmie przewodnictwa bez zewnętrznego odchylenia.
Koncentracja przewoźników mniejszościowych - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja nośników mniejszościowych to liczba nośników w paśmie walencyjnym bez zewnętrznego odchylenia.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Koncentracja większości nośników: 110000000 1 na metr sześcienny --> 110000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Koncentracja przewoźników mniejszościowych: 91000000 1 na metr sześcienny --> 91000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Ocenianie ... ...

n_i = 100049987.506246

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

100049987.506246 1 na metr sześcienny --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 na metr sześcienny <-- Wewnętrzne stężenie nośnika

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka nośnika ładunku » Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 16 Charakterystyka nośnika ładunku Kalkulatory

Koncentracja wewnętrzna

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Gęstość efektywna w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość w paśmie przewodnictwa)*e^((-Zależność pasma energetycznego od temperatury)/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Elektrostatyczna czułość odchylenia CRT

Iść Czułość odchylenia elektrostatycznego = (Odległość między płytami odchylającymi*Ekran i odległość płyt odchylających)/(2*Odchylenie wiązki*Prędkość elektronów)

Gęstość prądu spowodowana elektronami

Iść Gęstość prądu elektronowego = [Charge-e]*Koncentracja elektronów*Ruchliwość elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Gęstość prądu spowodowana otworami

Iść Gęstość prądu otworów = [Charge-e]*Koncentracja dziur*Ruchliwość otworów*Natężenie pola elektrycznego

Stała dyfuzji elektronów

Iść Stała dyfuzji elektronów = Ruchliwość elektronów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Siła działająca na element prądu w polu magnetycznym

Iść Siła = Bieżący element*Gęstość strumienia magnetycznego*sin(Kąt między płaszczyznami)

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Koncentracja większości nośników*Koncentracja przewoźników mniejszościowych)

Stała dyfuzji otworów

Iść Stała dyfuzji otworów = Ruchliwość otworów*(([BoltZ]*Temperatura)/[Charge-e])

Prędkość elektronu

Iść Prędkość związana z napięciem = sqrt((2*[Charge-e]*Napięcie)/[Mass-e])

Okres czasu elektronu

Iść Okres kołowej ścieżki cząstki = (2*3.14*[Mass-e])/(Siła pola magnetycznego*[Charge-e])

Długość rozproszenia otworu

Iść Długość dyfuzji otworów = sqrt(Stała dyfuzji otworów*Żywotność nośnika otworów)

Przewodnictwo w metalach

Iść Przewodność = Koncentracja elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów

Prędkość elektronu w polach siłowych

Iść Prędkość elektronu w polach siłowych = Natężenie pola elektrycznego/Siła pola magnetycznego

Napięcie termiczne

Iść Napięcie termiczne = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Napięcie termiczne przy użyciu równania Einsteina

Iść Napięcie termiczne = Stała dyfuzji elektronów/Ruchliwość elektronów

Gęstość prądu konwekcyjnego

Iść Gęstość prądu konwekcyjnego = Gęstość ładunku*Prędkość ładowania

Koncentracja nośnika samoistnego w warunkach nierównowagowych Formułę

Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Koncentracja większości nośników*Koncentracja przewoźników mniejszościowych)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Zdefiniować równowagowe stężenie nośnika?

Liczba nośników w paśmie przewodnictwa i wartościowości bez zewnętrznego odchylenia nazywana jest równowagowym stężeniem nośnika. Dla większości nośników równowagowe stężenie nośnika jest równe wewnętrznemu stężeniu nośnika plus liczbie wolnych nośników dodanych przez domieszkowanie półprzewodnika. W większości warunków domieszkowanie półprzewodnika jest o kilka rzędów wielkości większe niż wewnętrzne stężenie nośnika, tak że liczba większości nośników jest w przybliżeniu równa domieszkowaniu. W stanie równowagi iloczyn większości i mniejszościowych nośników jest stałą.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!