Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van ladingdragers

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Halfgeleiderkenmerken

Transistor-bedrijfsparameters

✖Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Meerderheid Carrier Concentratie [n₀]			+10% -10%
✖Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Concentratie van minderheidsdragers [p₀]			+10% -10%

✖Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden [n_i]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Formule

`"n"_{"i"} = sqrt("n"_{"0"}*"p"_{"0"})`

Voorbeeld

`"1E^8/m³"=sqrt("1.1e8/m³"*"9.1e7/m³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van ladingdragers Formules Pdf PDF Image

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)
n_i = sqrt(n₀*p₀)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 3 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Meerderheid Carrier Concentratie: 110000000 1 per kubieke meter --> 110000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_i = sqrt(n₀*p₀) --> sqrt(110000000*91000000)

Evalueren ... ...

n_i = 100049987.506246

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

100049987.506246 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

100049987.506246 ≈ 1E+8 1 per kubieke meter <-- Intrinsieke dragerconcentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Kenmerken van ladingdragers » Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 16 Kenmerken van ladingdragers Rekenmachines

Intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve dichtheid in valentieband*Effectieve dichtheid in geleidingsband)*e^((-Temperatuurafhankelijkheid van Energy Band Gap)/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Elektrostatische afbuigingsgevoeligheid van CRT

Gaan Gevoeligheid voor elektrostatische afbuiging = (Afstand tussen afbuigplaten*Scherm en afbuigplaten Afstand)/(2*Afbuiging van de straal*Elektron Snelheid)

Huidige dichtheid als gevolg van elektronen

Gaan Elektronenstroomdichtheid = [Charge-e]*Concentratie van elektronen*Mobiliteit van Electron*Elektrische veldintensiteit

Huidige dichtheid als gevolg van gaten

Gaan Gaten Huidige Dichtheid = [Charge-e]*Gaten Concentratie*Mobiliteit van gaten*Elektrische veldintensiteit

Elektronen diffusieconstante

Gaan Elektronendiffusieconstante = Mobiliteit van Electron*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Gaten Diffusie Constante

Gaan Gaten Diffusie Constante = Mobiliteit van gaten*(([BoltZ]*Temperatuur)/[Charge-e])

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)

Kracht op huidig element in magnetisch veld

Gaan Kracht = Huidig element*Magnetische fluxdichtheid*sin(Hoek tussen vlakken)

Tijdsperiode van Electron

Gaan Periode van deeltjes cirkelvormig pad = (2*3.14*[Mass-e])/(Magnetische veldsterkte*[Charge-e])

Snelheid van Electron

Gaan Snelheid door spanning = sqrt((2*[Charge-e]*Spanning)/[Mass-e])

Geleidbaarheid in metalen

Gaan Geleidbaarheid = Concentratie van elektronen*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Hole Diffusion Lengte

Gaan Gaten Verspreidingslengte = sqrt(Gaten Diffusie Constante*Gatendrager Levensduur)

Snelheid van elektronen in krachtvelden

Gaan Snelheid van elektron in krachtvelden = Elektrische veldintensiteit/Magnetische veldsterkte

Thermische spanning

Gaan Thermische spanning = [BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e]

Thermische spanning met behulp van de vergelijking van Einstein

Gaan Thermische spanning = Elektronendiffusieconstante/Mobiliteit van Electron

Convectiestroomdichtheid

Gaan Convectiestroomdichtheid = Ladingsdichtheid*Laad snelheid

Intrinsieke dragerconcentratie onder niet-evenwichtsomstandigheden Formule

Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Meerderheid Carrier Concentratie*Concentratie van minderheidsdragers)
n_i = sqrt(n₀*p₀)

Evenwichtsdragerconcentratie definiëren?

Het aantal dragers in de geleidings- en valentieband zonder extern aangebrachte voorspanning wordt de evenwichtsdragerconcentratie genoemd. Voor meerderheidsdragers is de evenwichtsdragerconcentratie gelijk aan de intrinsieke dragerconcentratie plus het aantal vrije dragers dat wordt toegevoegd door de halfgeleider te doteren. Onder de meeste omstandigheden is de dotering van de halfgeleider enkele ordes van grootte groter dan de intrinsieke dragerconcentratie, zodat het aantal meerderheidsdragers ongeveer gelijk is aan de dotering. Bij evenwicht is het product van de concentratie van de meerderheids- en minderheidsdragers een constante.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!