Calculadora Capacitancia de unión

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Portadores de semiconductores

✖El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.ⓘ Área de unión [A_j]			+10% -10%
✖La compensación de longitud constante hace referencia a un ajuste fijo o constante que se suma o resta de una longitud medida o especificada.ⓘ Compensación de longitud constante [k]			+10% -10%
✖La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.ⓘ Dopaje Concentración de Base [N_B]			+10% -10%
✖El voltaje de fuente es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.ⓘ Voltaje de fuente [V]			+10% -10%
✖Voltaje de fuente 1 es la presión de la fuente de alimentación de un circuito eléctrico que empuja electrones cargados (corriente) a través de un bucle conductor, lo que les permite realizar un trabajo, como iluminar una luz.ⓘ Voltaje de fuente 1 [V₁]			+10% -10%

✖La capacitancia de unión se define como la capacitancia que se forma en un diodo de unión PN bajo polarización inversa.ⓘ Capacitancia de unión [C_j]

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Fórmula

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Capacitancia de unión

Fórmula

`"C"_{"j"} = ("A"_{"j"}/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"k"*"N"_{"B"})/("V"-"V"_{"1"}))`

Ejemplo

`"0.02304μF"=("5401.3µm²"/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"1.59μm"*"1e28/m³")/("120V"-"50V"))`

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Capacitancia de unión Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))
C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funciones, 6 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Capacitancia de unión - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión se define como la capacitancia que se forma en un diodo de unión PN bajo polarización inversa.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.
Compensación de longitud constante - (Medido en Metro) - La compensación de longitud constante hace referencia a un ajuste fijo o constante que se suma o resta de una longitud medida o especificada.
Dopaje Concentración de Base - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de dopaje de la base es el número de impurezas añadidas a la base.
Voltaje de fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente es la diferencia de potencial eléctrico entre dos puntos, que se define como el trabajo necesario por unidad de carga para mover una carga de prueba entre los dos puntos.
Voltaje de fuente 1 - (Medido en Voltio) - Voltaje de fuente 1 es la presión de la fuente de alimentación de un circuito eléctrico que empuja electrones cargados (corriente) a través de un bucle conductor, lo que les permite realizar un trabajo, como iluminar una luz.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Área de unión: 5401.3 Micrómetro cuadrado --> 5.4013E-09 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)
Compensación de longitud constante: 1.59 Micrómetro --> 1.59E-06 Metro (Verifique la conversión aquí)
Dopaje Concentración de Base: 1E+28 1 por metro cúbico --> 1E+28 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Voltaje de fuente: 120 Voltio --> 120 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de fuente 1: 50 Voltio --> 50 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁)) --> (5.4013E-09/2)*sqrt((2*[Charge-e]*1.59E-06*1E+28)/(120-50))

Evaluar ... ...

C_j = 2.30402951890085E-08

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.30402951890085E-08 Faradio -->0.0230402951890085 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0230402951890085 ≈ 0.02304 Microfaradio <-- Capacitancia de unión

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Capacitancia de unión Fórmula

¿Qué es la capacitancia de la unión y cómo varía con la polarización?

Un diodo puede tener dos capacitancias diferentes, a saber, la capacitancia de unión y la capacitancia de difusión. Capacitancia de unión: es dominante cuando el diodo tiene polarización inversa y es el resultado de la carga almacenada en la capa de agotamiento.

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