Longitud de la unión del lado P Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 6 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Longitud de la unión del lado P - (Medido en Metro) - La longitud de la unión del lado p se define como la longitud promedio que un portador se mueve entre la generación y la recombinación.
Corriente óptica - (Medido en Amperio) - La corriente óptica es un sensor de corriente para medir la corriente continua. Mediante el uso de una fibra óptica de un solo extremo alrededor del conductor actual.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.
Tasa de generación óptica - Generación óptica Valora el número de electrones generados en cada punto del dispositivo debido a la absorción de fotones.
Ancho de transición de unión - (Medido en Metro) - El ancho de transición de la unión se define como la región espacial sobre la cual el ancho de la unión cambia de un valor a otro.
Longitud de difusión de la región de transición - (Medido en Metro) - La longitud de difusión de la región de transición se define como la longitud de difusión es la distancia promedio que los portadores en exceso pueden cubrir antes de que se recombinen.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Corriente óptica: 0.135 Miliamperio --> 0.000135 Amperio (Verifique la conversión ​aquí)
Área de unión: 5401.3 Micrómetro cuadrado --> 5.4013E-09 Metro cuadrado (Verifique la conversión ​aquí)
Tasa de generación óptica: 2.9E+19 --> No se requiere conversión
Ancho de transición de unión: 0.025 Micrómetro --> 2.5E-08 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Longitud de difusión de la región de transición: 0.0056 Micrómetro --> 5.6E-09 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif) --> (0.000135/([Charge-e]*5.4013E-09*2.9E+19))-(2.5E-08+5.6E-09)
Evaluar ... ...
Lp = 5379.31629748251
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
5379.31629748251 Metro -->5379316297.48251 Micrómetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
5379316297.48251 5.4E+9 Micrómetro <-- Longitud de la unión del lado P
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

16 Unión SSD Calculadoras

Capacitancia de unión
​ Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))
Longitud de la unión del lado P
​ Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)
Ancho de transición de unión
​ Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)
Resistencia en serie en tipo P
​ Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N
Resistencia en serie en tipo N
​ Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P
Voltaje de unión
​ Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica
Área transversal de la unión
​ Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)
Concentración del aceptor
​ Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)
Concentración de donantes
​ Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)
Ancho tipo N
​ Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])
Cargo total del aceptador
​ Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor
Coeficiente de absorción
​ Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)
Poder absorbido
​ Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)
Distribución neta de cargo
​ Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada
Longitud de la unión PN
​ Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal
Número cuántico
​ Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Longitud de la unión del lado P Fórmula

Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)

¿Cuál es el ancho de la unión pn?

El ancho físico de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de un micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa. Figura 11.4. Representación simplificada de una unión pn.

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