Länge der p-seitigen Verbindung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
Verwendete Variablen
Länge der P-seitigen Kreuzung - (Gemessen in Meter) - Die Länge des p-seitigen Übergangs ist definiert als die durchschnittliche Länge, die ein Träger zwischen Erzeugung und Rekombination zurücklegt.
Optischer Strom - (Gemessen in Ampere) - Optischer Strom ist ein Stromsensor zur Messung von Gleichstrom. Durch die Verwendung einer Single-Ended-Glasfaser um den Stromleiter herum.
Kreuzungsbereich - (Gemessen in Quadratmeter) - Der Übergangsbereich ist der Grenz- oder Grenzflächenbereich zwischen zwei Arten von Halbleitermaterialien in einer pn-Diode.
Optische Erzeugungsrate - Optische Erzeugung: Bewerten Sie die Anzahl der Elektronen, die an jedem Punkt im Gerät aufgrund der Absorption von Photonen erzeugt werden.
Kreuzungsübergangsbreite - (Gemessen in Meter) - Die Übergangsbreite einer Kreuzung ist definiert als der räumliche Bereich, in dem sich die Breite einer Kreuzung von einem Wert zu einem anderen ändert.
Diffusionslänge des Übergangsbereichs - (Gemessen in Meter) - Die Diffusionslänge des Übergangsbereichs ist definiert als Diffusionslänge und ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Ladungsträger zurücklegen können, bevor sie sich rekombinieren.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Optischer Strom: 0.135 Milliampere --> 0.000135 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Kreuzungsbereich: 5401.3 Quadratmikrometer --> 5.4013E-09 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Optische Erzeugungsrate: 2.9E+19 --> Keine Konvertierung erforderlich
Kreuzungsübergangsbreite: 0.025 Mikrometer --> 2.5E-08 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Diffusionslänge des Übergangsbereichs: 0.0056 Mikrometer --> 5.6E-09 Meter (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif) --> (0.000135/([Charge-e]*5.4013E-09*2.9E+19))-(2.5E-08+5.6E-09)
Auswerten ... ...
Lp = 5379.31629748251
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
5379.31629748251 Meter -->5379316297.48251 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5379316297.48251 5.4E+9 Mikrometer <-- Länge der P-seitigen Kreuzung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri LinkedIn Logo
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod LinkedIn Logo
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

SSD-Verbindung Taschenrechner

Sperrschichtkapazität
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))
Serienwiderstand im P-Typ
​ LaTeX ​ Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang
Sperrschichtspannung
​ LaTeX ​ Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom
N-Typ-Breite
​ LaTeX ​ Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Länge der p-seitigen Verbindung Formel

​LaTeX ​Gehen
Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)

Wie breit ist der pn-Übergang?

Die physische Breite des Verarmungsbereichs in einer typischen Si-Diode reicht von einem Bruchteil eines Mikrometers bis zu mehreren zehn Mikrometern, abhängig von der Bauteilgeometrie, dem Dotierungsprofil und der externen Vorspannung. Abbildung 11.4. Vereinfachte Darstellung eines pn-Übergangs.

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