Calculadora Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

✖El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.ⓘ Parámetro de transconductancia del proceso [k'_n]			+10% -10%
✖La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuenteⓘ Relación de aspecto [WL]			+10% -10%

✖El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.ⓘ Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso [k_n]

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Fórmula

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Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Fórmula

`"k"_{"n"} = "k'"_{"n"}*"WL"`

Ejemplo

`"0.0015A/V²"="0.015A/V²"*"0.1"`

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Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto
k_n = k'_n*WL
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Parámetro de transconductancia - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia es un parámetro crucial en los dispositivos y circuitos electrónicos, que ayuda a describir y cuantificar la relación de entrada-salida entre el voltaje y la corriente.
Parámetro de transconductancia del proceso - (Medido en Amperio por voltio cuadrado) - El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor.
Relación de aspecto - La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Parámetro de transconductancia del proceso: 0.015 Amperio por voltio cuadrado --> 0.015 Amperio por voltio cuadrado No se requiere conversión
Relación de aspecto: 0.1 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Evaluar ... ...

k_n = 0.0015

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0015 Amperio por voltio cuadrado --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.0015 Amperio por voltio cuadrado <-- Parámetro de transconductancia

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

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Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Transconductancia Calculadoras

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral))

Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Transconductancia dada corriente de drenaje

Vamos Transconductancia = sqrt(2*Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Corriente de drenaje)

Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual

Vamos Corriente de drenaje = Transconductancia^2/(2*Relación de aspecto*Parámetro de transconductancia del proceso)

Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Parámetro de transconductancia del proceso = Transconductancia/(Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha)

Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto*Voltaje de sobremarcha

Transconductancia MOSFET dado el parámetro de transconductancia

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*(Voltaje puerta-fuente-Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso

Vamos Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto

Efecto del cuerpo sobre la transconductancia

Vamos Transconductancia Corporal = Cambio en el umbral al voltaje base*Transconductancia

Transconductancia de puerta trasera

Vamos Transconductancia de puerta trasera = Transconductancia*Eficiencia de voltaje

Transconductancia MOSFET

Vamos Transconductancia = Cambio en la corriente de drenaje/Voltaje puerta-fuente

Transconductancia MOSFET dado voltaje de sobremarcha

Vamos Transconductancia = Parámetro de transconductancia*Voltaje de sobremarcha

Parámetro de transconductancia de proceso de MOSFET

Vamos Parámetro de transconductancia = Transconductancia/Voltaje de sobremarcha

Drenar corriente usando transconductancia

Vamos Corriente de drenaje = (Voltaje de sobremarcha)*Transconductancia/2

Transconductancia en MOSFET

Vamos Transconductancia = (2*Corriente de drenaje)/Voltaje de sobremarcha

Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso Fórmula

Parámetro de transconductancia = Parámetro de transconductancia del proceso*Relación de aspecto
k_n = k'_n*WL

¿Para qué se utiliza un MOSFET?

El transistor MOSFET (Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es un dispositivo semiconductor que se usa ampliamente para fines de conmutación y para la amplificación de señales electrónicas en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son los tipos de MOSFET?

Hay dos clases de MOSFET. Hay un modo de agotamiento y un modo de mejora. Cada clase está disponible como canal n o p, lo que da un total de cuatro tipos de MOSFET. El modo de agotamiento viene en una N o una P y un modo de mejora viene en una N o una P.

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