Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela
kn = k'n*WL
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Parâmetro de Transcondutância - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O parâmetro de transcondutância é um parâmetro crucial em dispositivos e circuitos eletrônicos, que ajuda a descrever e quantificar a relação entrada-saída entre tensão e corrente.
Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Parâmetro de Transcondutância do Processo: 0.015 Ampère por Volt Quadrado --> 0.015 Ampère por Volt Quadrado Nenhuma conversão necessária
Proporção da tela: 0.1 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
kn = k'n*WL --> 0.015*0.1
Avaliando ... ...
kn = 0.0015
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0015 Ampère por Volt Quadrado --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.0015 Ampère por Volt Quadrado <-- Parâmetro de Transcondutância
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

16 Transcondutância Calculadoras

Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo
​ Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar))
Transcondutância dada o parâmetro de transcondutância do processo
​ Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Transcondutância dada a corrente de drenagem
​ Vai Transcondutância = sqrt(2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Corrente de drenagem)
Corrente de dreno devido à transcondutância e transcondutância do processo
​ Vai Corrente de drenagem = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Parâmetro de Transcondutância do Processo)
Transcondutância do processo dada Transcondutância e corrente de dreno
​ Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância^2/(2*Proporção da tela*Corrente de drenagem)
Transcondutância MOSFET usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive
​ Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo = Transcondutância/(Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem)
Transcondutância usando o parâmetro de transcondutância do processo e tensão de overdrive
​ Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela*Tensão de ultrapassagem
Transcondutância do MOSFET dado o parâmetro de transcondutância
​ Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo
​ Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela
Efeito Corporal na Transcondutância
​ Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
Transcondutância da porta traseira
​ Vai Transcondutância da porta traseira = Transcondutância*Eficiência de Tensão
Parâmetro de Transcondutância do Processo do MOSFET
​ Vai Parâmetro de Transcondutância = Transcondutância/Tensão de ultrapassagem
Transcondutância MOSFET dada a tensão de overdrive
​ Vai Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância*Tensão de ultrapassagem
Transcondutância MOSFET
​ Vai Transcondutância = Alteração na corrente de drenagem/Tensão Gate-Fonte
Drenar corrente usando transcondutância
​ Vai Corrente de drenagem = (Tensão de ultrapassagem)*Transcondutância/2
Transcondutância em MOSFET
​ Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem

Parâmetro de Transcondutância MOSFET usando Transcondutância de Processo Fórmula

Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo*Proporção da tela
kn = k'n*WL

Para que é usado um MOSFET?

O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado para fins de comutação e para a amplificação de sinais eletrônicos em dispositivos eletrônicos.

Quais são os tipos de MOSFETs?

Existem duas classes de MOSFETs. Existe um modo de esgotamento e um modo de aprimoramento. Cada classe está disponível como canal n ou p, dando um total de quatro tipos de MOSFETs. O modo de esgotamento vem em um N ou um P e um modo de aprimoramento vem em um N ou um P.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!