Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus [k'_n]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.ⓘ Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus [k_n]

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Formule

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Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Formule

`"k"_{"n"} = "k'"_{"n"}*"WL"`

Exemple

`"0.0015A/V²"="0.015A/V²"*"0.1"`

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Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect
k_n = k'_n*WL
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.
Paramètre de transconductance de processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus: 0.015 Ampère par volt carré --> 0.015 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Évaluer ... ...

k_n = 0.0015

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0015 Ampère par volt carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0015 Ampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Transconductance Calculatrices

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil))

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Transconductance du processus en fonction de la transconductance et du courant de drain

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus

Aller Courant de vidange = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Paramètre de transconductance de processus)

Transconductance MOSFET donnée Paramètre de transconductance

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

MOSFET Transconductance étant donné la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*Tension de surmultiplication

Paramètre de transconductance de processus du MOSFET

Aller Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication

Transconductance de la porte arrière

Aller Transconductance de la porte arrière = Transconductance*Efficacité de tension

Transconductance MOSFET

Aller Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus Formule

Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect
k_n = k'_n*WL

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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