Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Калькулятор

✖Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'_n]			+10% -10%
✖Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источникомⓘ Соотношение сторон [WL]			+10% -10%

✖Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.ⓘ Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны [k_n]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Формула

`"k"_{"n"} = "k'"_{"n"}*"WL"`

Пример

`"0.0015A/V²"="0.015A/V²"*"0.1"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон
k_n = k'_n*WL
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Параметр крутизны - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Соотношение сторон - Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса: 0.015 Ампер на квадратный вольт --> 0.015 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Соотношение сторон: 0.1 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Оценка ... ...

k_n = 0.0015

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0015 Ампер на квадратный вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0015 Ампер на квадратный вольт <-- Параметр крутизны

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » крутизна » Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 16 крутизна Калькуляторы

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))

Крутизна заданного параметра крутизны процесса

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна тока стока

Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)

Транскондуктивность МОП-транзистора с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*Повышенное напряжение)

Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение

MOSFET крутизна с заданным параметром крутизны

Идти крутизна = Параметр крутизны*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Технологическая крутизна с учетом крутизны и тока стока

Идти Параметр крутизны процесса = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Ток стока)

Ток стока с учетом крутизны процесса и крутизны

Идти Ток стока = крутизна^2/(2*Соотношение сторон*Параметр крутизны процесса)

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Транспроводимость задних ворот

Идти Транспроводимость задних ворот = крутизна*Эффективность напряжения

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Идти Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон

МОП-транзистор

Идти крутизна = Изменение тока стока/Напряжение затвор-исток

Транскондуктивность МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки

Идти крутизна = Параметр крутизны*Повышенное напряжение

Параметр крутизны процесса MOSFET

Идти Параметр крутизны = крутизна/Повышенное напряжение

Ток стока с использованием крутизны

Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны формула

Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон
k_n = k'_n*WL

Для чего используется полевой МОП-транзистор?

Транзистор MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для коммутации и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.

Какие бывают типы полевых МОП-транзисторов?

Есть два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения. Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения - буквой N или P.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!