Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

крутизна Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'_n]			+10% -10%
✖Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источникомⓘ Соотношение сторон [WL]			+10% -10%

✖Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.ⓘ Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны [k_n]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон
k_n = k'_n*WL
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Параметр крутизны - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр крутизны является важным параметром в электронных устройствах и схемах, который помогает описать и количественно оценить взаимосвязь между входом и выходом между напряжением и током.
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Соотношение сторон - Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса: 0.015 Ампер на квадратный вольт --> 0.015 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Соотношение сторон: 0.1 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Оценка ... ...

k_n = 0.0015

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0015 Ампер на квадратный вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0015 Ампер на квадратный вольт <-- Параметр крутизны

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » крутизна » Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< крутизна Калькуляторы

Крутизна заданного параметра крутизны процесса

LaTeX Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна тока стока

LaTeX Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)

Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

LaTeX Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение

Ток стока с использованием крутизны

LaTeX Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2

Узнать больше >>

Параметр крутизны MOSFET с использованием технологической крутизны формула

LaTeX Идти

Параметр крутизны = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон
k_n = k'_n*WL

Для чего используется полевой МОП-транзистор?

Транзистор MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для коммутации и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.

Какие бывают типы полевых МОП-транзисторов?

Есть два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения. Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения - буквой N или P.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!