Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo calcolatrice

✖Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo [k'_n]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%

✖Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.ⓘ Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo [k_n]

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Formula

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Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Formula

`"k"_{"n"} = "k'"_{"n"}*"WL"`

Esempio

`"0.0015A/V²"="0.015A/V²"*"0.1"`

Calcolatrice

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Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni
k_n = k'_n*WL
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è un parametro cruciale nei dispositivi e nei circuiti elettronici, che aiuta a descrivere e quantificare la relazione ingresso-uscita tra tensione e corrente.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo: 0.015 Ampere per Volt Quadrato --> 0.015 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

k_n = k'_n*WL --> 0.015*0.1

Valutare ... ...

k_n = 0.0015

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0015 Ampere per Volt Quadrato --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0015 Ampere per Volt Quadrato <-- Parametro di transconduttanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio))

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Drain Current data la transconduttanza e la transconduttanza del processo

Partire Assorbimento di corrente = Transconduttanza^2/(2*Proporzioni*Parametro di transconduttanza di processo)

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Parametro di transconduttanza di processo = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET dato il parametro di transconduttanza

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Effetto del corpo sulla transconduttanza

Partire Transconduttanza corporea = Modifica della soglia alla tensione di base*Transconduttanza

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni

Transconduttanza del backgate

Partire Transconduttanza del backgate = Transconduttanza*Efficienza della tensione

MOSFET Transconduttanza

Partire Transconduttanza = Modifica della corrente di scarico/Tensione gate-source

Transconduttanza MOSFET data la tensione di overdrive

Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza*Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza di processo del MOSFET

Partire Parametro di transconduttanza = Transconduttanza/Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Transconduttanza nei MOSFET

Partire Transconduttanza = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive

Parametro di transconduttanza MOSFET che utilizza la transconduttanza di processo Formula

Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni
k_n = k'_n*WL

A cosa serve un MOSFET?

Il transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) è un dispositivo a semiconduttore ampiamente utilizzato per scopi di commutazione e per l'amplificazione di segnali elettronici in dispositivi elettronici.

Quali sono i tipi di MOSFET?

Esistono due classi di MOSFET. C'è la modalità di esaurimento e c'è la modalità di miglioramento. Ciascuna classe è disponibile come canale n o p, per un totale di quattro tipi di MOSFET. La modalità di esaurimento è disponibile in una N o P e una modalità di miglioramento è disponibile in una N o in una P.

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