Calculadora Voltaje de sobremarcha de PMOS

✖El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.ⓘ Voltaje entre puerta y fuente [V_GS]			+10% -10%
✖El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.ⓘ Voltaje de umbral [V_T]			+10% -10%

✖El voltaje efectivo es el voltaje de CC equivalente que produciría la misma cantidad de disipación de energía en una carga resistiva que el voltaje de CA que se mide.ⓘ Voltaje de sobremarcha de PMOS [V_ov]

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Fórmula

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Voltaje de sobremarcha de PMOS

Fórmula

`"V"_{"ov"} = "V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"})`

Ejemplo

`"2.16V"="2.86V"-"modulus"("0.7V")`

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Voltaje de sobremarcha de PMOS Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables

Funciones utilizadas

modulus - El módulo de un número es el resto cuando ese número se divide por otro número., modulus

Variables utilizadas

Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo es el voltaje de CC equivalente que produciría la misma cantidad de disipación de energía en una carga resistiva que el voltaje de CA que se mide.
Voltaje entre puerta y fuente - (Medido en Voltio) - El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje entre puerta y fuente: 2.86 Voltio --> 2.86 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ov = V_GS-modulus(V_T) --> 2.86-modulus(0.7)

Evaluar ... ...

V_ov = 2.16

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

2.16 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

2.16 Voltio <-- Voltaje efectivo

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Tiempo de tránsito del transistor PNP

Vamos Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)

Voltaje de sobremarcha de PMOS Fórmula

Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)

¿Por qué el voltaje de umbral es negativo en PMOS?

Normalmente, el voltaje umbral es el voltaje Vgs requerido para comenzar a formar el canal denominado inversión de canal. En el caso de PMOS, el sustrato / volumen y los terminales de la fuente están conectados a Vdd. Con referencia al terminal de la fuente, si comienza a reducir el voltaje de la puerta de Vdd (exactamente opuesto a NMOS donde comienza el voltaje de la puerta desde cero) hasta un punto en el que observa la inversión del canal, en este punto si calcula Vgs y la fuente es en el potencial más alto, obtiene un valor negativo. Es por eso que tiene un valor negativo de Vth para un PMOS. Con un argumento similar, verá que NMOS tendrá un Vth positivo.

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