Tensione di overdrive del PMOS calcolatrice

✖La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%

✖La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.ⓘ Tensione di overdrive del PMOS [V_ov]

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Formula

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Tensione di overdrive del PMOS

Formula

`"V"_{"ov"} = "V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"})`

Esempio

`"2.16V"="2.86V"-"modulus"("0.7V")`

Calcolatrice

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Tensione di overdrive del PMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 3 Variabili

Funzioni utilizzate

modulus - Il modulo di un numero è il resto quando quel numero viene diviso per un altro numero., modulus

Variabili utilizzate

Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione tra Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ov = V_GS-modulus(V_T) --> 2.86-modulus(0.7)

Valutare ... ...

V_ov = 2.16

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.16 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.16 Volt <-- Tensione effettiva

(Calcolo completato in 00.023 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Effetto corporeo in PMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)

Parametro effetto backgate in PMOS

Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Corrente nel canale di inversione del PMOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)

Carica dello strato di inversione in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale

Tensione di overdrive del PMOS

Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Tensione di overdrive del PMOS Formula

Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)

Perché la tensione di soglia è negativa in PMOS?

Tipicamente, la tensione di soglia è la tensione Vgs richiesta per iniziare a formare il canale denominato inversione di canale. In caso di PMOS, i terminali bulk / substrato e sorgente sono collegati a Vdd. Con riferimento al terminale di source, se inizi a ridurre la tensione di gate da Vdd (esattamente opposto a NMOS dove inizi la tensione di gate da zero) a un punto in cui osservi l'inversione del canale, a questo punto se calcoli Vgs e source essendo al potenziale più alto, ottieni un valore negativo. Questo è il motivo per cui hai un valore negativo di Vth per un PMOS. Con un argomento simile, vedrai che NMOS avrà un V positivo.

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