Tensão Overdrive do PMOS Calculadora

✖A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.ⓘ Tensão entre Gate e Source [V_GS]			+10% -10%
✖A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.ⓘ Tensão de limiar [V_T]			+10% -10%

✖A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.ⓘ Tensão Overdrive do PMOS [V_ov]

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Fórmula

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Tensão Overdrive do PMOS

Fórmula

`"V"_{"ov"} = "V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"})`

Exemplo

`"2.16V"="2.86V"-"modulus"("0.7V")`

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Tensão Overdrive do PMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)
Esta fórmula usa 1 Funções, 3 Variáveis

Funções usadas

modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulus

Variáveis Usadas

Tensão efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva é a tensão CC equivalente que produziria a mesma quantidade de dissipação de energia em uma carga resistiva que a tensão CA sendo medida.
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tensão entre Gate e Source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

V_ov = V_GS-modulus(V_T) --> 2.86-modulus(0.7)

Avaliando ... ...

V_ov = 2.16

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

2.16 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

2.16 Volt <-- Tensão efetiva

(Cálculo concluído em 00.012 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 14 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Tensão Overdrive do PMOS Fórmula

Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)

Por que a tensão limite é negativa no PMOS?

Normalmente, a tensão limite é a tensão Vgs necessária para iniciar a formação do canal, conhecido como inversão de canal. No caso de PMOS, o bulk / substrate e os terminais de origem são conectados ao Vdd. Com referência ao terminal da fonte, se você começar a reduzir a tensão da porta de Vdd (exatamente oposto ao NMOS, onde você começa a tensão da porta do zero) para um ponto onde você observa a inversão do canal, neste ponto se você calcular Vgs e a fonte sendo no potencial mais alto, você obtém um valor negativo. É por isso que você tem um valor negativo de Vth para um PMOS. Com um argumento semelhante, você verá que o NMOS terá um Vth positivo.

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