Overdrive-spanning van PMOS Rekenmachine

✖De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.ⓘ Spanning tussen poort en bron [V_GS]			+10% -10%
✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%

✖Effectieve spanning is de equivalente DC-spanning die dezelfde hoeveelheid vermogensdissipatie zou produceren in een resistieve belasting als de AC-spanning die wordt gemeten.ⓘ Overdrive-spanning van PMOS [V_ov]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Overdrive-spanning van PMOS

Formule

`"V"_{"ov"} = "V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"})`

Voorbeeld

`"2.16V"="2.86V"-"modulus"("0.7V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf

Overdrive-spanning van PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 3 Variabelen

Functies die worden gebruikt

modulus - De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Effectieve spanning - (Gemeten in Volt) - Effectieve spanning is de equivalente DC-spanning die dezelfde hoeveelheid vermogensdissipatie zou produceren in een resistieve belasting als de AC-spanning die wordt gemeten.
Spanning tussen poort en bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen poort en bron van een veldeffecttransistor (FET) staat bekend als de poort-bronspanning (VGS). Het is een belangrijke parameter die de werking van de FET beïnvloedt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Spanning tussen poort en bron: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ov = V_GS-modulus(V_T) --> 2.86-modulus(0.7)

Evalueren ... ...

V_ov = 2.16

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.16 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.16 Volt <-- Effectieve spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Overdrive-spanning van PMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 14 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Overdrive-spanning van PMOS Formule

Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)

Waarom is de drempelspanning negatief in PMOS?

Doorgaans is de drempelspanning de Vgs-spanning die nodig is om het kanaal te vormen waarnaar wordt verwezen als kanaalinversie. In het geval van PMOS zijn de bulk / substraat en de source terminals verbonden met Vdd. Met verwijzing naar de bronterminal, als u uw poortspanning begint te verlagen van Vdd (precies tegenovergesteld aan NMOS waar u uw poortspanning vanaf nul start) naar een punt waar u de kanaalinversie waarneemt, op dit punt als u Vgs en source berekent bij het hogere potentieel krijg je een negatieve waarde. Daarom heb je een negatieve waarde van Vth voor een PMOS. Met een soortgelijk argument zul je zien dat NMOS een positieve V-de zal hebben.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!