Überlappungskapazität des MOSFET Taschenrechner

✖Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.ⓘ Kanalbreite [W_c]			+10% -10%
✖Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.ⓘ Oxidkapazität [C_ox]			+10% -10%
✖Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.ⓘ Überlappungslänge [L_ov]			+10% -10%

✖Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.ⓘ Überlappungskapazität des MOSFET [C_oc]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Überlappungskapazität des MOSFET

Formel

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Beispiel

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Überlappungskapazität des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Überlappungskapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Überlappungskapazität versteht man die Kapazität, die zwischen zwei leitenden Bereichen entsteht, die nahe beieinander liegen, aber nicht direkt verbunden sind.
Kanalbreite - (Gemessen in Meter) - Die Kanalbreite bezieht sich auf den Frequenzbereich, der zur Übertragung von Daten über einen drahtlosen Kommunikationskanal verwendet wird. Sie wird auch als Bandbreite bezeichnet und in Hertz (Hz) gemessen.
Oxidkapazität - (Gemessen in Farad) - Die Oxidkapazität ist ein wichtiger Parameter, der die Leistung von MOS-Geräten beeinflusst, beispielsweise die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch integrierter Schaltkreise.
Überlappungslänge - (Gemessen in Meter) - Die Überlappungslänge ist die durchschnittliche Entfernung, die die überschüssigen Träger zurücklegen können, bevor sie sich wieder verbinden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kanalbreite: 10 Mikrometer --> 1E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Oxidkapazität: 940 Mikrofarad --> 0.00094 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Überlappungslänge: 40.6 Mikrometer --> 4.06E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Auswerten ... ...

C_oc = 3.8164E-13

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Mikrofarad <-- Überlappungskapazität

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell » Überlappungskapazität des MOSFET

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid

Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET

Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))

Untere kritische Frequenz des Mosfet

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)

Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET

Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis

Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)

Überlappungskapazität des MOSFET

Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge

Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang

Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)

Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs

Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge

Kapazitive Reaktanz von Mosfet

Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)

Miller-Kapazität von Mosfet

Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)

Kritische Frequenz von Mosfet

Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)

Dämpfung des RC-Schaltkreises

Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Überlappungskapazität des MOSFET Formel

Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

Wie wirkt der MOSFET als Kondensator?

Einfach ausgedrückt, wirken der ABLASS und die QUELLE des MOSFET aufgrund des isolierten Gates als leitende Platten in einem Kondensator. MOSFETs verhalten sich wie elektrisch leitende Bauelemente, was einer spannungsgesteuerten Kapazität entspricht.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!