Calculadora Potencial de drenaje a fuente

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Diseño VLSI analógico

Optimización de materiales VLSI

✖El voltaje umbral dibl se define como el voltaje mínimo requerido por la unión de la fuente del potencial corporal, cuando la fuente está al potencial corporal.ⓘ Tensión umbral DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.ⓘ Voltaje umbral [V_t]			+10% -10%
✖El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.ⓘ Coeficiente DIBL [η]			+10% -10%

✖Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.ⓘ Potencial de drenaje a fuente [V_ds]

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Fórmula

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Potencial de drenaje a fuente

Fórmula

`"V"_{"ds"} = ("V"_{"t0"}-"V"_{"t"})/"η"`

Ejemplo

`"1.45V"=("0.59V"-"0.3V")/"0.2"`

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Potencial de drenaje a fuente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Drenar a la fuente potencial = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Coeficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Drenar a la fuente potencial - (Medido en Voltio) - Drenaje a fuente El potencial es el potencial entre el drenaje y la fuente.
Tensión umbral DIBL - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral dibl se define como el voltaje mínimo requerido por la unión de la fuente del potencial corporal, cuando la fuente está al potencial corporal.
Voltaje umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje umbral del transistor es la puerta mínima al voltaje de fuente requerida para crear una ruta conductora entre los terminales de fuente y drenaje.
Coeficiente DIBL - El coeficiente DIBL en un dispositivo CMOS suele ser del orden de 0,1.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Tensión umbral DIBL: 0.59 Voltio --> 0.59 Voltio No se requiere conversión
Voltaje umbral: 0.3 Voltio --> 0.3 Voltio No se requiere conversión
Coeficiente DIBL: 0.2 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_ds = (V_t0-V_t)/η --> (0.59-0.3)/0.2

Evaluar ... ...

V_ds = 1.45

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.45 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.45 Voltio <-- Drenar a la fuente potencial

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 16 Diseño VLSI analógico Calculadoras

Potencial entre la fuente y el cuerpo

Vamos Diferencia de potencial del cuerpo fuente = Potencial de superficie/(2*ln(Concentración de aceptor/Concentración intrínseca))

Capacitancia de puerta a drenaje

Vamos Capacitancia de puerta a drenaje = Capacitancia de puerta-(Capacitancia de puerta a base+Capacitancia de puerta a fuente)

Capacitancia de puerta a fuente

Vamos Capacitancia de puerta a fuente = Capacitancia de puerta-(Capacitancia de puerta a base+Capacitancia de puerta a drenaje)

Capacitancia de puerta a base

Vamos Capacitancia de puerta a base = Capacitancia de puerta-(Capacitancia de puerta a fuente+Capacitancia de puerta a drenaje)

Voltaje de drenaje

Vamos Voltaje base del colector = sqrt(Poder dinámico/(Frecuencia*Capacidad))

Potencial de drenaje a fuente

Vamos Drenar a la fuente potencial = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Coeficiente DIBL

Voltaje de puerta a canal

Vamos Voltaje de puerta a canal = (Cargo del canal/Capacitancia de puerta)+Voltaje umbral

Puerta al potencial de coleccionista

Vamos Voltaje de puerta a canal = (Puerta a la fuente potencial+Puerta para drenar el potencial)/2

Puerta para drenar el potencial

Vamos Puerta para drenar el potencial = 2*Voltaje de puerta a canal-Puerta a la fuente potencial

Puerta a la fuente potencial

Vamos Puerta a la fuente potencial = 2*Voltaje de puerta a canal-Puerta para drenar el potencial

Voltaje de entrada bajo máximo

Vamos Voltaje de entrada bajo máximo = Margen de ruido bajo+Voltaje de salida bajo máximo

Alto voltaje de entrada mínimo

Vamos Alto voltaje de entrada mínimo = Alto voltaje mínimo de salida-Alto margen de ruido

Voltaje de salida bajo máximo

Vamos Voltaje de salida bajo máximo = Voltaje de entrada bajo máximo-Margen de ruido bajo

Alto voltaje de salida mínimo

Vamos Alto voltaje mínimo de salida = Alto margen de ruido+Alto voltaje de entrada mínimo

Margen de ruido alto

Vamos Alto margen de ruido = Alto voltaje mínimo de salida-Alto voltaje de entrada mínimo

Margen de bajo ruido

Vamos Margen de ruido bajo = Voltaje de entrada bajo máximo-Voltaje de salida bajo máximo

Potencial de drenaje a fuente Fórmula

Drenar a la fuente potencial = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Coeficiente DIBL
V_ds = (V_t0-V_t)/η

¿Qué es la región de agotamiento?

Cuando se transmite voltaje positivo a través de la puerta, hace que los agujeros libres (carga positiva) sean empujados hacia atrás o repelidos de la región del sustrato debajo de la puerta. Cuando estos orificios se empujan hacia abajo del sustrato, dejan una región de agotamiento del portador.

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