Potenziale da Drain a Source Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Drenare al potenziale di origine - (Misurato in Volt) - Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.
Tensione di soglia DIBL - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia dibl è definita come la tensione minima richiesta dalla giunzione della sorgente del potenziale corporeo, quando la sorgente è al potenziale corporeo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Coefficiente DIBL - Il coefficiente DIBL in un dispositivo cmos è rappresentato tipicamente nell'ordine di 0,1.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione di soglia DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Coefficiente DIBL: 0.2 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vds = (Vt0-Vt)/η --> (0.59-0.3)/0.2
Valutare ... ...
Vds = 1.45
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.45 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1.45 Volt <-- Drenare al potenziale di origine
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

16 Progettazione VLSI analogica Calcolatrici

Potenziale tra sorgente e corpo
Partire Differenza di potenziale del corpo sorgente = Potenziale di superficie/(2*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca))
Porta per la capacità di drenaggio
Partire Porta per la capacità di drenaggio = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Capacità dal gate alla sorgente)
Capacità da gate a base
Partire Capacità da gate a base = Capacità del cancello-(Capacità dal gate alla sorgente+Porta per la capacità di drenaggio)
Capacità dal gate alla sorgente
Partire Capacità dal gate alla sorgente = Capacità del cancello-(Capacità da gate a base+Porta per la capacità di drenaggio)
Tensione di drenaggio
Partire Tensione del collettore di base = sqrt(Potenza dinamica/(Frequenza*Capacità))
Potenziale da Drain a Source
Partire Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
Gate to Channel Voltage
Partire Voltaggio da gate a canale = (Carica del canale/Capacità del cancello)+Soglia di voltaggio
Minima alta tensione di uscita
Partire Tensione di uscita minima elevata = Margine di rumore elevato+Tensione di ingresso minima elevata
Minima alta tensione di ingresso
Partire Tensione di ingresso minima elevata = Tensione di uscita minima elevata-Margine di rumore elevato
Alto margine di rumore
Partire Margine di rumore elevato = Tensione di uscita minima elevata-Tensione di ingresso minima elevata
Tensione di ingresso massima bassa
Partire Massima tensione di ingresso bassa = Margine di rumore basso+Massima tensione di uscita bassa
Tensione di uscita massima bassa
Partire Massima tensione di uscita bassa = Massima tensione di ingresso bassa-Margine di rumore basso
Margine a basso rumore
Partire Margine di rumore basso = Massima tensione di ingresso bassa-Massima tensione di uscita bassa
Porta al potenziale del collezionista
Partire Voltaggio da gate a canale = (Potenziale dal gate alla fonte+Porta per drenare potenziale)/2
Potenziale dal gate alla fonte
Partire Potenziale dal gate alla fonte = 2*Voltaggio da gate a canale-Porta per drenare potenziale
Porta per drenare potenziale
Partire Porta per drenare potenziale = 2*Voltaggio da gate a canale-Potenziale dal gate alla fonte

Potenziale da Drain a Source Formula

Drenare al potenziale di origine = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Coefficiente DIBL
Vds = (Vt0-Vt)/η

Cos'è la regione di esaurimento?

Quando la tensione positiva viene trasmessa attraverso il Gate, i fori liberi (carica positiva) vengono respinti o respinti dalla regione del substrato sotto il Gate. Quando questi fori vengono spinti lungo il substrato, lasciano una regione di esaurimento del supporto.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!