Potenzial von Drain zu Source Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Vds = (Vt0-Vt)/η
Diese formel verwendet 4 Variablen
Verwendete Variablen
Drain-to-Source-Potenzial - (Gemessen in Volt) - Drain-Source-Potenzial ist das Potenzial zwischen Drain und Source.
Schwellenspannung DIBL - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung dibl ist definiert als die Mindestspannung, die der Source-Übergang des Body-Potentials benötigt, wenn die Source auf Body-Potential liegt.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
DIBL-Koeffizient - Der DIBL-Koeffizient in einem CMOS-Gerät liegt typischerweise in der Größenordnung von 0,1.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Schwellenspannung DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
DIBL-Koeffizient: 0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Vds = (Vt0-Vt)/η --> (0.59-0.3)/0.2
Auswerten ... ...
Vds = 1.45
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.45 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.45 Volt <-- Drain-to-Source-Potenzial
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

16 Analoges VLSI-Design Taschenrechner

Potenzial zwischen Quelle und Körper
Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
Drain Voltage
Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))
Gate-zu-Basis-Kapazität
Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Gate-to-Drain-Kapazität
Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)
Gate-Source-Kapazität
Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)
Potenzial von Drain zu Source
Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Gate-zu-Kanal-Spannung
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung
Maximale niedrige Ausgangsspannung
Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand
Maximal niedrige Eingangsspannung
Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung
Geringer Rauschabstand
Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung
Minimale hohe Ausgangsspannung
Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung
Minimale hohe Eingangsspannung
Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand
Hoher Rauschabstand
Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung
Tor zur Ableitung von Potenzial
Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gate-to-Collector-Potenzial
Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2
Tor-zu-Quelle-Potenzial
Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Potenzial von Drain zu Source Formel

Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient
Vds = (Vt0-Vt)/η

Was ist eine Verarmungsregion?

Wenn eine positive Spannung über das Gate übertragen wird, werden die freien Löcher (positive Ladung) aus dem Bereich des Substrats unter dem Gate zurückgeschoben oder abgestoßen. Wenn diese Löcher auf das Substrat gedrückt werden, hinterlassen sie einen Trägerverarmungsbereich.

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