Voltaje de saturación usando voltaje de umbral Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Vds = Vgs-Vth
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Voltaje de saturación - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación en un transistor es un voltaje entre el drenaje y la fuente y su colector y emisor que se requiere para la saturación.
Voltaje de fuente de puerta - (Medido en Voltio) - El voltaje de fuente de puerta de un transistor es el voltaje que cae a través del terminal de fuente de puerta del transistor.
Voltaje de umbral - (Medido en Voltio) - El voltaje de umbral del transistor es el voltaje mínimo de puerta a fuente que se necesita para crear una ruta conductora entre la fuente y los terminales de drenaje.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje de fuente de puerta: 1.25 Voltio --> 1.25 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de umbral: 0.7 Voltio --> 0.7 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Vds = Vgs-Vth --> 1.25-0.7
Evaluar ... ...
Vds = 0.55
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.55 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.55 Voltio <-- Voltaje de saturación
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
Verificada por Equipo Softusvista
Oficina Softusvista (Pune), India
¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Función de distribución de Fermi Dirac
Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
Longitud de difusión de electrones
Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Brecha de banda de energía
Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Densidad de corriente de deriva
Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones
Movilidad de los portadores de carga
Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
Voltaje de saturación usando voltaje de umbral
Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Campo eléctrico debido al voltaje Hall
Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Voltaje de saturación usando voltaje de umbral Fórmula

Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Vds = Vgs-Vth

¿Qué es la región de saturación?

Para sesgos de drenaje más grandes, la corriente de drenaje se satura y se vuelve independiente del sesgo de drenaje. Naturalmente, esta región se denomina región de saturación. La corriente de drenaje en saturación se deriva de la corriente de la región lineal que es una parábola con un máximo que ocurre en el voltaje de saturación.

¿Qué sucede cuando aumenta el voltaje de saturación entre el drenaje y la fuente?

A medida que aumenta Vds, el número de electrones en la capa de inversión disminuye cerca del drenaje. Esto ocurre por dos razones. Primero, debido a que tanto la compuerta como el drenaje están polarizados positivamente, la diferencia de potencial a través del óxido es menor cerca del extremo del drenaje. Debido a que la carga positiva en la puerta está determinada por la caída de potencial a través del óxido de la puerta, la carga de la puerta es menor cerca del extremo del drenaje. Esto implica que la cantidad de carga negativa en el semiconductor necesaria para preservar la neutralidad de la carga también será menor cerca del drenaje. En consecuencia, la concentración de electrones en la capa de inversión cae. En segundo lugar, aumentar el voltaje en el drenaje aumenta el ancho de agotamiento alrededor de la unión de drenaje con polarización inversa. Dado que se descubren más iones aceptores negativos, se necesita una menor cantidad de electrones de la capa de inversión para equilibrar la carga de la puerta. Esto implica que la densidad de electrones en la capa de inversión cerca del drenaje disminuiría incluso si la densidad de carga en la puerta fuera constante.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!