Movilidad de los portadores de carga Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
μ = Vd/E
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Movilidad de Portadores de Carga - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los portadores de carga se define como la magnitud de su velocidad de deriva por unidad de campo eléctrico aplicado.
Velocidad de deriva - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad de deriva es la velocidad promedio que alcanza una partícula debido a un campo eléctrico.
Intensidad de campo eléctrico - (Medido en voltios por metro) - La intensidad del campo eléctrico se refiere a la fuerza por unidad de carga que experimentan las partículas cargadas (como electrones o huecos) dentro del material.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Velocidad de deriva: 10.24 Metro por Segundo --> 10.24 Metro por Segundo No se requiere conversión
Intensidad de campo eléctrico: 3.428 voltios por metro --> 3.428 voltios por metro No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
μ = Vd/E --> 10.24/3.428
Evaluar ... ...
μ = 2.98716452742124
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
2.98716452742124 Metro cuadrado por voltio por segundo --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
2.98716452742124 2.987165 Metro cuadrado por voltio por segundo <-- Movilidad de Portadores de Carga
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Akshada Kulkarni
Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana
¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Anshika Arya
Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur
¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
​ Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Función de distribución de Fermi Dirac
​ Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N
​ Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P
​ Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
Longitud de difusión de electrones
​ Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Brecha de banda de energía
​ Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p
​ Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores
​ Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
​ Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Densidad de corriente de deriva
​ Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones
Movilidad de los portadores de carga
​ Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
Voltaje de saturación usando voltaje de umbral
​ Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Campo eléctrico debido al voltaje Hall
​ Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Movilidad de los portadores de carga Fórmula

Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
μ = Vd/E

¿Qué tipo de portador de carga tiene mayor movilidad? electrones o huecos?

La movilidad de los electrones suele ser mayor que la movilidad de los huecos porque, con bastante frecuencia, la masa efectiva de los electrones es menor que la masa efectiva de los huecos. Los tiempos de relajación suelen ser del mismo orden de magnitud para los electrones y los huecos y, por tanto, no suponen una gran diferencia.

¿Qué tipo de portador de carga tiene mayor movilidad? electrones o huecos "

La movilidad de los electrones es a menudo mayor que la movilidad de los huecos porque, con bastante frecuencia, la masa efectiva del electrón es menor que la masa efectiva del hueco. Los tiempos de relajación son a menudo del mismo orden de magnitud para electrones y huecos y, por lo tanto, no hacen mucha diferencia.

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