Calculadora Longitud de difusión de electrones

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Características de los semiconductores

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Parámetros de funcionamiento del transistor

Parámetros electrostáticos

✖La constante de difusión de electrones se refiere a una propiedad del material que describe la velocidad a la que los electrones se difunden a través del material en respuesta a un gradiente de concentración.ⓘ Constante de difusión de electrones [D_n]			+10% -10%
✖Minority Carrier Lifetime se utiliza para determinar la longitud de difusión de electrones.ⓘ Portador minoritario de por vida [τ_n]			+10% -10%

✖La longitud de difusión de electrones está relacionada con la vida útil del portador por la difusividad.ⓘ Longitud de difusión de electrones [L_n]

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Fórmula

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Longitud de difusión de electrones

Fórmula

`"L"_{"n"} = sqrt("D"_{"n"}*"τ"_{"n"})`

Ejemplo

`"44.99123cm"=sqrt("44982.46cm²/s"*"45000μs")`

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Longitud de difusión de electrones Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 3 Variables

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Longitud de difusión de electrones - (Medido en Metro) - La longitud de difusión de electrones está relacionada con la vida útil del portador por la difusividad.
Constante de difusión de electrones - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión de electrones se refiere a una propiedad del material que describe la velocidad a la que los electrones se difunden a través del material en respuesta a un gradiente de concentración.
Portador minoritario de por vida - (Medido en Segundo) - Minority Carrier Lifetime se utiliza para determinar la longitud de difusión de electrones.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Constante de difusión de electrones: 44982.46 Centímetro cuadrado por segundo --> 4.498246 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión aquí)
Portador minoritario de por vida: 45000 Microsegundo --> 0.045 Segundo (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L_n = sqrt(D_n*τ_n) --> sqrt(4.498246*0.045)

Evaluar ... ...

L_n = 0.449912291452456

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.449912291452456 Metro -->44.9912291452456 Centímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

44.9912291452456 ≈ 44.99123 Centímetro <-- Longitud de difusión de electrones

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Akshada Kulkarni

Instituto Nacional de Tecnología de la Información (NIIT), Neemrana

¡Akshada Kulkarni ha creado esta calculadora y 500+ más calculadoras!

Verificada por Equipo Softusvista

Oficina Softusvista (Pune), India

¡Equipo Softusvista ha verificado esta calculadora y 1100+ más calculadoras!

< 13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores

Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)

Función de distribución de Fermi Dirac

Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))

Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N

Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones

Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P

Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros

Longitud de difusión de electrones

Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)

Brecha de banda de energía

Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p

Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios

Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores

Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios

Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos

Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2

Densidad de corriente de deriva

Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones

Movilidad de los portadores de carga

Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico

Voltaje de saturación usando voltaje de umbral

Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral

Campo eléctrico debido al voltaje Hall

Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Longitud de difusión de electrones Fórmula

Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
L_n = sqrt(D_n*τ_n)

¿Qué es la longitud de difusión de electrones?

La longitud de difusión es la longitud promedio que se mueve un portador entre la generación y la recombinación. Los materiales semiconductores que están fuertemente dopados tienen mayores tasas de recombinación y, en consecuencia, tienen longitudes de difusión más cortas. Las longitudes de difusión más altas son indicativas de materiales con una vida útil más larga y, por lo tanto, son una cualidad importante a considerar con los materiales semiconductores.

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