Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Vds = Vgs-Vth
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Напряжение насыщения - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения в транзисторе — это напряжение между стоком и истоком и его коллектором и эмиттером, необходимое для насыщения.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток транзистора — это напряжение, которое падает на клемму затвор-исток транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между выводами истока и стока.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Напряжение источника затвора: 1.25 вольт --> 1.25 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vds = Vgs-Vth --> 1.25-0.7
Оценка ... ...
Vds = 0.55
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.55 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.55 вольт <-- Напряжение насыщения
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Национальный институт информационных технологий (НИИТ), Neemrana
Акшада Кулкарни создал этот калькулятор и еще 500+!
Verifier Image
Офис Софтусвиста (Пуна), Индия
Команда Софтусвиста проверил этот калькулятор и еще 1100+!

13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках
​ Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
Функция распределения Ферми Дирака
​ Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))
Запрещенная энергетическая зона
​ Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
Проводимость внешнего полупроводника для P-типа
​ Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
Проводимость внешних полупроводников для N-типа
​ Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
Длина диффузии электронов
​ Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)
Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа
​ Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Концентрация основных носителей в полупроводнике
​ Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Уровень Ферми собственных полупроводников
​ Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
Подвижность носителей заряда
​ Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля
Плотность дрейфового тока
​ Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока
Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения
​ Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Электрическое поле из-за напряжения Холла
​ Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения формула

Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Vds = Vgs-Vth

Что такое область насыщения?

Для больших смещений стока ток стока насыщается и становится независимым от смещения стока. Естественно, эта область называется областью насыщения. Ток стока в режиме насыщения получается из линейного тока области, который представляет собой параболу с максимумом, возникающим при напряжении насыщения.

Что происходит, когда напряжение насыщения между стоком и истоком увеличивается?

По мере увеличения Vds количество электронов в инверсионном слое вблизи стока уменьшается. Это происходит по двум причинам. Во-первых, поскольку и затвор, и сток имеют положительное смещение, разность потенциалов на оксиде меньше рядом со стоком. Поскольку положительный заряд затвора определяется падением потенциала на оксиде затвора, заряд затвора меньше около конца стока. Это означает, что количество отрицательного заряда в полупроводнике, необходимое для сохранения нейтральности заряда, также будет меньше около стока. Следовательно, концентрация электронов в инверсионном слое падает. Во-вторых, увеличение напряжения на стоке увеличивает ширину обеднения вокруг обратносмещенного перехода стока. Поскольку обнаруживается больше отрицательных ионов-акцепторов, требуется меньшее количество электронов инверсионного слоя, чтобы сбалансировать заряд затвора. Это означает, что плотность электронов в инверсионном слое около стока будет уменьшаться, даже если плотность заряда на затворе будет постоянной.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!