Calculadora Coeficiente de polarización del sustrato

✖La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.ⓘ Concentración de dopaje del aceptor [N_A]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%

✖El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).ⓘ Coeficiente de polarización del sustrato [γ_s]

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Coeficiente de polarización del sustrato Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Coeficiente de polarización del sustrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 3 Variables

Constantes utilizadas

[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Funciones utilizadas

sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)

Variables utilizadas

Coeficiente de polarización del sustrato - El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Concentración de dopaje del aceptor - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de dopaje del aceptor: 1.32 Electrones por centímetro cúbico --> 1320000 Electrones por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de óxido: 3.9 Faradio --> 3.9 Faradio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Evaluar ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

5.70407834987726E-07 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Coeficiente de polarización del sustrato

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Banu Prakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

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