Coeficiente de polarização do substrato Calculadora

✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%
✖Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%

✖O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).ⓘ Coeficiente de polarização do substrato [γ_s]

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Coeficiente de polarização do substrato Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Coeficiente de polarização do substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Coeficiente de polarização do substrato - O coeficiente de polarização do substrato é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos transistor de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor (MOSFET).
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - Capacitância de óxido refere-se à capacitância associada à camada isolante de óxido em uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS), como em MOSFETs.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Avaliando ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

5.70407834987726E-07 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Coeficiente de polarização do substrato

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Banu Prakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

Banu Prakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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