✖La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione antidoping dell'accettore [NA] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.ⓘ Capacità dell'ossido [Cox] | | | +10% -10% |