Calculadora Tiempo de tránsito del transistor PNP

✖El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.ⓘ Ancho de la base [W_b]			+10% -10%
✖La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.ⓘ Constante de difusión para PNP [D_p]			+10% -10%

✖El tiempo de tránsito en un transistor es crucial ya que determina la frecuencia máxima a la que el transistor puede funcionar de manera efectiva.ⓘ Tiempo de tránsito del transistor PNP [τ_f]

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Fórmula

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Tiempo de tránsito del transistor PNP

Fórmula

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

Ejemplo

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

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Tiempo de tránsito del transistor PNP Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Tiempo de tránsito - (Medido en Segundo) - El tiempo de tránsito en un transistor es crucial ya que determina la frecuencia máxima a la que el transistor puede funcionar de manera efectiva.
Ancho de la base - (Medido en Metro) - El ancho de la base es un parámetro importante que afecta las características del transistor, especialmente en términos de funcionamiento y velocidad.
Constante de difusión para PNP - (Medido en Metro cuadrado por segundo) - La constante de difusión para PNP describe la facilidad con la que estos portadores minoritarios se difunden a través del material semiconductor cuando se aplica un campo eléctrico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de la base: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique la conversión aquí)
Constante de difusión para PNP: 100 Centímetro cuadrado por segundo --> 0.01 Metro cuadrado por segundo (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Evaluar ... ...

τ_f = 0.32

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.32 Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.32 Segundo <-- Tiempo de tránsito

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Raúl Gupta

Universidad de Chandigarh (CU), Mohali, Punyab

¡Raúl Gupta ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore

¡Ritwik Tripathi ha verificado esta calculadora y 100+ más calculadoras!

< 15 Mejora del canal P Calculadoras

Corriente de drenaje general del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2*(1+Voltaje entre drenaje y fuente/modulus(Voltaje temprano))

Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*((Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))*Voltaje entre drenaje y fuente-1/2*(Voltaje entre drenaje y fuente)^2)

Efecto corporal en PMOS

Vamos Cambio en el voltaje de umbral = Voltaje de umbral+Parámetro del proceso de fabricación*(sqrt(2*Parámetro físico+Voltaje entre el cuerpo y la fuente)-sqrt(2*Parámetro físico))

Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(modulus(Voltaje efectivo)-1/2*Voltaje entre drenaje y fuente)*Voltaje entre drenaje y fuente

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral))^2

Parámetro de efecto de puerta trasera en PMOS

Vamos Parámetro de efecto de puerta trasera = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentración de donantes)/Capacitancia de óxido

Drenar la corriente de la fuente al drenaje

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal)

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente)

Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

Vamos Corriente de drenaje de saturación = 1/2*Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS*Relación de aspecto*(Voltaje efectivo)^2

Corriente en el canal de inversión de PMOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de la unión*Carga de capa de inversión*Velocidad de deriva de inversión)

Carga de capa de inversión en PMOS

Vamos Carga de capa de inversión = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral)

Corriente en Canal de Inversión de PMOS dada Movilidad

Vamos Velocidad de deriva de inversión = Movilidad de agujeros en canal*Componente horizontal del campo eléctrico en el canal

Voltaje de sobremarcha de PMOS

Vamos Voltaje efectivo = Voltaje entre puerta y fuente-modulus(Voltaje de umbral)

Parámetro de transconductancia de proceso de PMOS

Vamos Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS = Movilidad de agujeros en canal*Capacitancia de óxido

Tiempo de tránsito del transistor PNP

Vamos Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)

Tiempo de tránsito del transistor PNP Fórmula

Tiempo de tránsito = Ancho de la base^2/(2*Constante de difusión para PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

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