Transittijd van PNP-transistor Rekenmachine

✖De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.ⓘ Basisbreedte [W_b]			+10% -10%
✖Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.ⓘ Diffusieconstante voor PNP [D_p]			+10% -10%

✖De transittijd in een transistor is cruciaal omdat deze de maximale frequentie bepaalt waarop de transistor effectief kan werken.ⓘ Transittijd van PNP-transistor [τ_f]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transittijd van PNP-transistor

Formule

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

Voorbeeld

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Transittijd van PNP-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transittijd = Basisbreedte^2/(2*Diffusieconstante voor PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transittijd - (Gemeten in Seconde) - De transittijd in een transistor is cruciaal omdat deze de maximale frequentie bepaalt waarop de transistor effectief kan werken.
Basisbreedte - (Gemeten in Meter) - De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.
Diffusieconstante voor PNP - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Basisbreedte: 8 Centimeter --> 0.08 Meter (Bekijk de conversie hier)
Diffusieconstante voor PNP: 100 Vierkante centimeter per seconde --> 0.01 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Evalueren ... ...

τ_f = 0.32

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.32 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.32 Seconde <-- Transittijd

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P-Channel-verbetering » Transittijd van PNP-transistor

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 15 P-Channel-verbetering Rekenmachines

Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2*(1+Spanning tussen afvoer en bron/modulus(Vroege spanning))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Lichaamseffect bij PMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom van bron naar afvoer

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal)

Backgate-effectparameter in PMOS

Gaan Backgate-effectparameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Donor concentratie)/Oxide capaciteit

Inversion Layer Charge bij Pinch-Off-conditie in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning-Spanning tussen afvoer en bron)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Stroom in inversiekanaal van PMOS

Gaan Afvoerstroom = (Breedte van de kruising*Inversielaaglading*Driftsnelheid van inversie)

Inversielaaglading in PMOS

Gaan Inversielaaglading = -Oxide capaciteit*(Spanning tussen poort en bron-Drempelspanning)

Stroom in inversiekanaal van PMOS gegeven mobiliteit

Gaan Driftsnelheid van inversie = Mobiliteit van gaten in kanaal*Horizontale component van elektrisch veld in kanaal

Overdrive-spanning van PMOS

Gaan Effectieve spanning = Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning)

Procestransconductantieparameter van PMOS

Gaan Procestransconductantieparameter in PMOS = Mobiliteit van gaten in kanaal*Oxide capaciteit

Transittijd van PNP-transistor

Gaan Transittijd = Basisbreedte^2/(2*Diffusieconstante voor PNP)

Transittijd van PNP-transistor Formule

Transittijd = Basisbreedte^2/(2*Diffusieconstante voor PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!