Tempo di transito del transistor PNP calcolatrice

✖La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.ⓘ Larghezza della base [W_b]			+10% -10%
✖La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.ⓘ Costante di diffusione per PNP [D_p]			+10% -10%

✖Il tempo di transito in un transistor è cruciale poiché determina la frequenza massima alla quale il transistor può funzionare efficacemente.ⓘ Tempo di transito del transistor PNP [τ_f]

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Formula

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Tempo di transito del transistor PNP

Formula

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

Esempio

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

Calcolatrice

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Tempo di transito del transistor PNP Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tempo di transito = Larghezza della base^2/(2*Costante di diffusione per PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tempo di transito - (Misurato in Secondo) - Il tempo di transito in un transistor è cruciale poiché determina la frequenza massima alla quale il transistor può funzionare efficacemente.
Larghezza della base - (Misurato in metro) - La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.
Costante di diffusione per PNP - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza della base: 8 Centimetro --> 0.08 metro (Controlla la conversione qui)
Costante di diffusione per PNP: 100 Centimetro quadrato al secondo --> 0.01 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Valutare ... ...

τ_f = 0.32

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.32 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.32 Secondo <-- Tempo di transito

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

< 15 Miglioramento del canale P Calcolatrici

Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2*(1+Tensione tra Drain e Source/modulus(Tensione iniziale))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Effetto corporeo in PMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))^2

Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale)

Parametro effetto backgate in PMOS

Partire Parametro effetto backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido

Carica dello strato di inversione in condizione di pizzicotto in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio-Tensione tra Drain e Source)

Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

Corrente nel canale di inversione del PMOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione)

Carica dello strato di inversione in PMOS

Partire Carica dello strato di inversione = -Capacità di ossido*(Tensione tra Gate e Source-Soglia di voltaggio)

Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

Partire Velocità di deriva dell'inversione = Mobilità dei fori nel canale*Componente orizzontale del campo elettrico nel canale

Tensione di overdrive del PMOS

Partire Tensione effettiva = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio)

Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

Partire Parametro di transconduttanza di processo in PMOS = Mobilità dei fori nel canale*Capacità di ossido

Tempo di transito del transistor PNP

Partire Tempo di transito = Larghezza della base^2/(2*Costante di diffusione per PNP)

Tempo di transito del transistor PNP Formula

Tempo di transito = Larghezza della base^2/(2*Costante di diffusione per PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

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