Tempo de trânsito do transistor PNP Calculadora

✖A largura da base é um parâmetro importante que afeta as características do transistor, principalmente em termos de operação e velocidade.ⓘ Largura básica [W_b]			+10% -10%
✖Diffusion Constant For PNP descreve a facilidade com que esses portadores minoritários se difundem através do material semicondutor quando um campo elétrico é aplicado.ⓘ Constante de difusão para PNP [D_p]			+10% -10%

✖O tempo de trânsito em um transistor é crucial, pois determina a frequência máxima na qual o transistor pode operar efetivamente.ⓘ Tempo de trânsito do transistor PNP [τ_f]

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Fórmula

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Tempo de trânsito do transistor PNP

Fórmula

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

Exemplo

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

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Tempo de trânsito do transistor PNP Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tempo de trânsito = Largura básica^2/(2*Constante de difusão para PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Tempo de trânsito - (Medido em Segundo) - O tempo de trânsito em um transistor é crucial, pois determina a frequência máxima na qual o transistor pode operar efetivamente.
Largura básica - (Medido em Metro) - A largura da base é um parâmetro importante que afeta as características do transistor, principalmente em termos de operação e velocidade.
Constante de difusão para PNP - (Medido em Metro quadrado por segundo) - Diffusion Constant For PNP descreve a facilidade com que esses portadores minoritários se difundem através do material semicondutor quando um campo elétrico é aplicado.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura básica: 8 Centímetro --> 0.08 Metro (Verifique a conversão aqui)
Constante de difusão para PNP: 100 Centímetro quadrado por segundo --> 0.01 Metro quadrado por segundo (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Avaliando ... ...

τ_f = 0.32

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.32 Segundo --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.32 Segundo <-- Tempo de trânsito

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Ritwik Tripathi

Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

< 15 Aprimoramento do Canal P Calculadoras

Corrente de drenagem geral do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2*(1+Tensão entre Dreno e Fonte/modulus(Tensão inicial))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*((Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))*Tensão entre Dreno e Fonte-1/2*(Tensão entre Dreno e Fonte)^2)

Efeito corporal em PMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

Corrente de dreno na região do triodo do transistor PMOS dado Vsd

Vai Drenar Corrente = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(modulus(Tensão efetiva)-1/2*Tensão entre Dreno e Fonte)*Tensão entre Dreno e Fonte

Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2

Parâmetro de efeito Backgate em PMOS

Vai Parâmetro do Efeito Backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentração de Doadores)/Capacitância de Óxido

Corrente de dreno da fonte para o dreno

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal)

Carga da Camada de Inversão na Condição Pinch-Off no PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar-Tensão entre Dreno e Fonte)

Corrente de dreno na região de saturação do transistor PMOS dado Vov

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão efetiva)^2

Corrente no canal de inversão do PMOS

Vai Drenar Corrente = (Largura da Junção*Cobrança da Camada de Inversão*Velocidade de deriva da inversão)

Carga da Camada de Inversão em PMOS

Vai Cobrança da Camada de Inversão = -Capacitância de Óxido*(Tensão entre Gate e Source-Tensão de limiar)

Corrente no Canal de Inversão do PMOS devido à Mobilidade

Vai Velocidade de deriva da inversão = Mobilidade de Furos no Canal*Componente horizontal do campo elétrico no canal

Parâmetro de Transcondutância do Processo de PMOS

Vai Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS = Mobilidade de Furos no Canal*Capacitância de Óxido

Tensão Overdrive do PMOS

Vai Tensão efetiva = Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar)

Tempo de trânsito do transistor PNP

Vai Tempo de trânsito = Largura básica^2/(2*Constante de difusão para PNP)

Tempo de trânsito do transistor PNP Fórmula

Tempo de trânsito = Largura básica^2/(2*Constante de difusão para PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

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