Temps de transit du transistor PNP Calculatrice

✖La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.ⓘ Largeur de base [W_b]			+10% -10%
✖La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.ⓘ Constante de diffusion pour PNP [D_p]			+10% -10%

✖Le temps de transit dans un transistor est crucial car il détermine la fréquence maximale à laquelle le transistor peut fonctionner efficacement.ⓘ Temps de transit du transistor PNP [τ_f]

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Formule

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Temps de transit du transistor PNP

Formule

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

Exemple

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

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Temps de transit du transistor PNP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Temps de transport - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de transit dans un transistor est crucial car il détermine la fréquence maximale à laquelle le transistor peut fonctionner efficacement.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Évaluer ... ...

τ_f = 0.32

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.32 Deuxième --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.32 Deuxième <-- Temps de transport

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Amélioration du canal P » Temps de transit du transistor PNP

Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

< 15 Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain global du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2*(1+Tension entre drain et source/modulus(Tension précoce))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Effet corporel dans PMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Drainer le courant de la source au drain

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)

Paramètre d'effet de backgate dans PMOS

Aller Paramètre d'effet de backgate = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentration des donateurs)/Capacité d'oxyde

Charge de la couche d'inversion à la condition de pincement dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil-Tension entre drain et source)

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Charge de couche d'inversion dans PMOS

Aller Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Vitesse de dérive d'inversion)

Courant dans le canal d'inversion du PMOS compte tenu de la mobilité

Aller Vitesse de dérive d'inversion = Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal

Tension de surmultiplication du PMOS

Aller Tension efficace = Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil)

Paramètre de transconductance de processus de PMOS

Aller Paramètre de transconductance de processus dans PMOS = Mobilité des trous dans le canal*Capacité d'oxyde

Temps de transit du transistor PNP

Aller Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)

Temps de transit du transistor PNP Formule

Temps de transport = Largeur de base^2/(2*Constante de diffusion pour PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

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