Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Изготовление СБИС
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Коэффициент усиления/усиление
крутизна
Напряжение
Предвзятость
Сопротивление
Текущий
Улучшение N-канала
Улучшение P-канала
Характеристики МОП-транзистора
✖
Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.
ⓘ
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением [C
j0sw
]
Abfarad
Аттофарад
сантифарада
Кл / вольт
декафарад
Децифарад
EMU конденсаторной
ESU конденсаторной
эксафарада
фарада
фемтофарада
гигафарада
гектофарад
килофарад
Мегафарада
Микрофарад
Миллифарад
нанофарада
петафарада
пикофарада
Statfarad
терафарада
+10%
-10%
✖
Глубина боковой стенки — это расстояние от поверхности конструкции или материала до указанной точки внутри боковой стенки.
ⓘ
Глубина боковины [x
j
]
створа
Ангстрем
арпан
астрономическая единица
Аттометр
AU длины
Ячменное зерно
Миллиардный свет
Бор Радиус
Кабель (международный)
Кабель (UK)
Кабель (США)
калибр
сантиметр
цепь
Cubit (греческий)
Кубит (Длинный)
Cubit (Великобритания)
Декаметр
Дециметр
Земля Расстояние от Луны
Земля Расстояние от Солнца
Экваториальный радиус Земли
Полярный радиус Земли
Радиус электрона (классическая)
флигель
Экзаметр
Famn
Вникать
Femtometer
Ферми
Палец (ткань)
ширина пальца
Фут
Foot (служба США)
Фарлонг
Гигаметр
Рука
Ладонь
гектометр
дюйм
кругозор
километр
килопарсек
килоярд
лига
Лига (Статут)
Световой год
Ссылка
Мегаметр
Мегапарсек
метр
микродюйм
микрометр
микрон
мил
мили
Миля (Роман)
Миля (служба США)
Миллиметр
Миллион светлого года
Nail (ткань)
нанометр
Морская лига (международная)
Морская лига Великобритании
Морская миля (Международный)
Морская миля (Великобритания)
парсек
Окунь
петаметр
цицеро
пикометра
Планка Длина
Точка
полюс
квартал
Рид
Рид (длинный)
прут
Роман Actus
канатный
русский Арчин
Span (ткань)
Солнечный радиус
Тераметр
Твип
Vara Кастеллана
Vara Conuquera
Vara De Фаарея
Двор
Йоктометр
Йоттаметр
Зептометр
Зеттаметр
+10%
-10%
✖
Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.
ⓘ
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины [C
jsw
]
Abfarad
Аттофарад
сантифарада
Кл / вольт
декафарад
Децифарад
EMU конденсаторной
ESU конденсаторной
эксафарада
фарада
фемтофарада
гигафарада
гектофарад
килофарад
Мегафарада
Микрофарад
Миллифарад
нанофарада
петафарада
пикофарада
Statfarad
терафарада
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Формула
`"C"_{"jsw"} = "C"_{"j0sw"}*"x"_{"j"}`
Пример
`"2.9E^-15F"="4.6E^-10F"*"6.32μm"`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Емкость бокового перехода
-
(Измеряется в фарада)
- Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
-
(Измеряется в фарада)
- Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.
Глубина боковины
-
(Измеряется в метр)
- Глубина боковой стенки — это расстояние от поверхности конструкции или материала до указанной точки внутри боковой стенки.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением:
4.6E-10 фарада --> 4.6E-10 фарада Конверсия не требуется
Глубина боковины:
6.32 микрометр --> 6.32E-06 метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
C
jsw
= C
j0sw
*x
j
-->
4.6E-10*6.32E-06
Оценка ... ...
C
jsw
= 2.9072E-15
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.9072E-15 фарада --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.9072E-15
≈
2.9E-15 фарада
<--
Емкость бокового перехода
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
21 МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Понизьте ток в линейной области
Идти
Линейный регион Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(2*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)*
Выходное напряжение
-
Выходное напряжение
^2))
Уменьшите ток в области насыщения
Идти
Область насыщения Понижающий ток
=
sum
(x,0,
Количество транзисторов параллельного управления
,(
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
/2)*(
ширина канала
/
Длина канала
)*(
Напряжение источника затвора
-
Пороговое напряжение
)^2)
Напряжение узла в данном случае
Идти
Напряжение узла в данном случае
= (
Фактор крутизны
/
Емкость узла
)*
int
(
exp
(-(1/(
Сопротивление узла
*
Емкость узла
))*(
Временной период
-x))*
Ток, текущий в узел
*x,x,0,
Временной период
)
Время насыщения
Идти
Время насыщения
= -2*
Емкость нагрузки
/(
Параметр процесса крутизны
*(
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)^2)*
int
(1,x,
Высокое выходное напряжение
,
Высокое выходное напряжение
-
Пороговое напряжение
)
Ток стока, протекающий через МОП-транзистор
Идти
Ток стока
= (
ширина канала
/
Длина канала
)*
Электронная подвижность
*
Оксидная емкость
*
int
((
Напряжение источника затвора
-x-
Пороговое напряжение
),x,0,
Напряжение источника стока
)
Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области
Идти
Линейная область во временной задержке
= -2*
Емкость перехода
*
int
(1/(
Параметр процесса крутизны
*(2*(
Входное напряжение
-
Пороговое напряжение
)*x-x^2)),x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Плотность заряда области истощения
Идти
Плотность заряда слоя истощения
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(
Поверхностный потенциал
-
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
Идти
Область истощения стока
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Встроенный потенциал соединения
+
Напряжение источника стока
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Потенциал Ферми для N-типа
Идти
Потенциал Ферми для N-типа
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Концентрация донорской легирующей примеси
/
Собственная концентрация носителей
)
Эквивалентная большая сигнальная емкость
Идти
Эквивалентная большая сигнальная емкость
= (1/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
))*
int
(
Емкость перехода
*x,x,
Начальное напряжение
,
Конечное напряжение
)
Максимальная глубина истощения
Идти
Максимальная глубина истощения
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Объемный потенциал Ферми
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Ток стока в области насыщения МОП-транзистора
Идти
Ток стока области насыщения
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
int
(
Обвинение
*
Параметр короткого канала
,x,0,
Эффективная длина канала
)
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Заложенный потенциал в регионе истощения
Идти
Встроенное напряжение
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(-2*
Объемный потенциал Ферми
)))
Глубина истощения Регион, связанный с источником
Идти
Регион глубины истощения источника
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Встроенный потенциал соединения
)/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
Коэффициент смещения подложки
Идти
Коэффициент смещения подложки
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
)/
Оксидная емкость
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Средняя мощность, рассеиваемая за период времени
Идти
Средняя мощность
= (1/
Общее затраченное время
)*
int
(
Напряжение
*
Текущий
,x,0,
Общее затраченное время
)
Рабочая функция в MOSFET
Идти
Рабочая функция
=
Уровень вакуума
+(
Уровень энергии зоны проводимости
-
Уровень Ферми
)
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины формула
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!