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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Taschenrechner
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P-Kanal-Verbesserung
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Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
ⓘ
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential [C
j0sw
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
+10%
-10%
✖
Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand.
ⓘ
Tiefe der Seitenwand [x
j
]
Aln
Angström
Arpent
Astronomische Einheit
Attometer
AU Länge
Gerstenkorn
Billion Licht Jahr
Bohr Radius
Kabel (International)
Kabel (Vereinigtes Königreich)
Kabel (Vereinigte Staaten)
Kaliber
Zentimeter
Kette
Elle (Griechisch)
Elle (lang)
Elle (UK)
Dekameter
Dezimeter
Erde Entfernung vom Mond
Entfernung der Erde von der Sonne
Erdäquatorialradius
Polarradius der Erde
Elektronenradius (klassisch)
Ell
Prüfer
Famn
Ergründen
Femtometer
Fermi
Finger (Stoff)
fingerbreadth
Versfuß
Versfuß (US Umfrage)
Achtelmeile
Gigameter
Hand
Handbreit
Hektometer
Inch
Ken
Kilometer
Kiloparsec
Kiloyard
Liga
Liga (Statut)
Lichtjahr
Link
Megameter
Megaparsec
Meter
Mikrozoll
Mikrometer
Mikron
mil
Meile
Meile (römisch)
Meile (US Umfrage)
Millimeter
Million Licht Jahr
Nagel (Stoff)
Nanometer
Nautische Liga (int)
Nautische Liga Großbritannien
Nautische Meile (International)
Nautische Meile (UK)
Parsec
Barsch
Petameter
Pica
Picometer
Planck Länge
Punkt
Pole
Quartal
Reed
Schilf (lang)
Stange
Römischen Actus
Seil
Russischen Archin
Spanne (Stoff)
Sonnenradius
Terrameter
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Vara De Tharea
Yard
Yoctometer
Yottameter
Zeptometer
Zettameter
+10%
-10%
✖
Unter Seitenwandübergangskapazität versteht man die Kapazität, die mit der Seitenwand eines Halbleiterübergangs verbunden ist.
ⓘ
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit [C
jsw
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Formel
`"C"_{"jsw"} = "C"_{"j0sw"}*"x"_{"j"}`
Beispiel
`"2.9E^-15F"="4.6E^-10F"*"6.32μm"`
Taschenrechner
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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
Diese formel verwendet
3
Variablen
Verwendete Variablen
Seitenwandübergangskapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Unter Seitenwandübergangskapazität versteht man die Kapazität, die mit der Seitenwand eines Halbleiterübergangs verbunden ist.
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
-
(Gemessen in Farad)
- Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.
Tiefe der Seitenwand
-
(Gemessen in Meter)
- Die Tiefe der Seitenwand bezieht sich auf den Abstand von der Oberfläche einer Struktur oder eines Materials zu einem bestimmten Punkt innerhalb der Seitenwand.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential:
4.6E-10 Farad --> 4.6E-10 Farad Keine Konvertierung erforderlich
Tiefe der Seitenwand:
6.32 Mikrometer --> 6.32E-06 Meter
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
jsw
= C
j0sw
*x
j
-->
4.6E-10*6.32E-06
Auswerten ... ...
C
jsw
= 2.9072E-15
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
2.9072E-15 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
2.9072E-15
≈
2.9E-15 Farad
<--
Seitenwandübergangskapazität
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Credits
Erstellt von
Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
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21 MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter
Gehen
Pulldown-Strom im linearen Bereich
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(2*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)*
Ausgangsspannung
-
Ausgangsspannung
^2))
Knotenspannung bei gegebener Instanz
Gehen
Knotenspannung bei gegebener Instanz
= (
Transkonduktanzfaktor
/
Knotenkapazität
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knotenwiderstand
*
Knotenkapazität
))*(
Zeitraum
-x))*
In den Knoten fließender Strom
*x,x,0,
Zeitraum
)
Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich
Gehen
Sättigungsbereich Pulldown-Strom
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)^2)
Sättigungszeit
Gehen
Sättigungszeit
= -2*
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)^2)*
int
(1,x,
Hohe Ausgangsspannung
,
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)
Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet
Gehen
Linearer Bereich in der Zeitverzögerung
= -2*
Sperrschichtkapazität
*
int
(1/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(2*(
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)*x-x^2)),x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor
Gehen
Stromverbrauch
= (
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
*
int
((
Gate-Source-Spannung
-x-
Grenzspannung
),x,0,
Drain-Quellenspannung
)
Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Gehen
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor
Gehen
Drainstrom im Sättigungsbereich
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
int
(
Aufladen
*
Kurzkanalparameter
,x,0,
Effektive Kanallänge
)
Maximale Erschöpfungstiefe
Gehen
Maximale Erschöpfungstiefe
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Fermipotential für P-Typ
Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Fermipotential für N-Typ
Gehen
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion
Gehen
Eingebaute Spannung
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(-2*
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe der Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Eingebautes Verbindungspotential
)/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Äquivalente Großsignalkapazität
Gehen
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Substrat-Vorspannungskoeffizient
Gehen
Substrat-Vorspannungskoeffizient
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
)/
Oxidkapazität
Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum
Gehen
Durchschnittliche Kraft
= (1/
Gesamtzeitaufwand
)*
int
(
Stromspannung
*
Aktuell
,x,0,
Gesamtzeitaufwand
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Arbeitsfunktion im MOSFET
Gehen
Arbeitsfuntkion
=
Vakuumniveau
+(
Energieniveau des Leitungsbandes
-
Fermi-Level
)
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit Formel
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
C
jsw
=
C
j0sw
*
x
j
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