Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur Calculatrice

✖Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.ⓘ Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation [C_j0sw]			+10% -10%
✖La profondeur du flanc fait référence à la distance entre la surface d'une structure ou d'un matériau et un point spécifié dans le flanc.ⓘ Profondeur du flanc [x_j]			+10% -10%

✖La capacité de jonction de la paroi latérale fait référence à la capacité associée à la paroi latérale d'une jonction semi-conductrice.ⓘ Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur [C_jsw]

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Formule

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Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Formule

`"C"_{"jsw"} = "C"_{"j0sw"}*"x"_{"j"}`

Exemple

`"2.9E^-15F"="4.6E^-10F"*"6.32μm"`

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Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc
C_jsw = C_j0sw*x_j
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Capacité de jonction des parois latérales - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction de la paroi latérale fait référence à la capacité associée à la paroi latérale d'une jonction semi-conductrice.
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation - (Mesuré en Farad) - Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.
Profondeur du flanc - (Mesuré en Mètre) - La profondeur du flanc fait référence à la distance entre la surface d'une structure ou d'un matériau et un point spécifié dans le flanc.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation: 4.6E-10 Farad --> 4.6E-10 Farad Aucune conversion requise
Profondeur du flanc: 6.32 Micromètre --> 6.32E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_jsw = C_j0sw*x_j --> 4.6E-10*6.32E-06

Évaluer ... ...

C_jsw = 2.9072E-15

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.9072E-15 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.9072E-15 ≈ 2.9E-15 Farad <-- Capacité de jonction des parois latérales

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 21 Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Réduisez le courant dans la région linéaire

Aller Courant de réduction de la région linéaire = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(2*(Tension de source de porte-Tension de seuil)*Tension de sortie-Tension de sortie^2))

Tension du nœud à une instance donnée

Aller Tension du nœud à une instance donnée = (Facteur de transconductance/Capacité du nœud)*int(exp(-(1/(Résistance des nœuds*Capacité du nœud))*(Période de temps-x))*Courant circulant dans le nœud*x,x,0,Période de temps)

Réduisez le courant dans la région de saturation

Aller Courant de réduction de la région de saturation = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2)

Temps de saturation

Aller Temps de saturation = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil)

Courant de drain circulant à travers le transistor MOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de canal/Longueur du canal)*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*int((Tension de source de porte-x-Tension de seuil),x,0,Tension de source de drain)

Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire

Aller Région linéaire en temporisation = -2*Capacité de jonction*int(1/(Paramètre de processus de transconductance*(2*(Tension d'entrée-Tension de seuil)*x-x^2)),x,Tension initiale,Tension finale)

Densité de charge dans la région d'épuisement

Aller Densité de charge de couche d'épuisement = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(Potentiel des surfaces-Potentiel Fermi en vrac)))

Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

Aller Profondeur de la région d'épuisement du drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS

Aller Courant de drainage de la région de saturation = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*int(Charge*Paramètre de canal court,x,0,Longueur effective du canal)

Potentiel de Fermi pour le type P

Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Potentiel de Fermi pour le type N

Aller Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)

Profondeur d'épuisement maximale

Aller Profondeur d'épuisement maximale = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Aller Tension intégrée = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac)))

Grande capacité de signal équivalente

Aller Grande capacité de signal équivalente = (1/(Tension finale-Tension initiale))*int(Capacité de jonction*x,x,Tension initiale,Tension finale)

Profondeur de la région d'épuisement associée à la source

Aller Profondeur de la région d'épuisement de la source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potentiel de jonction intégré)/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Coefficient de biais du substrat

Aller Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde

Capacité équivalente à grande jonction de signal

Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Puissance moyenne dissipée sur une période de temps

Aller Puissance moyenne = (1/Temps total pris)*int(Tension*Actuel,x,0,Temps total pris)

Fonction de travail dans MOSFET

Aller Fonction de travail = Niveau de vide+(Niveau d'énergie de la bande de conduction-Niveau de Fermi)

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur Formule

Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc
C_jsw = C_j0sw*x_j

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