Concentration d'accepteur Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.ⓘ Frais totaux de l'accepteur [\|Q\|]			+10% -10%
✖La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.ⓘ Pénétration de charge de type N [x_no]			+10% -10%
✖La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.ⓘ Zone de jonction [A_j]			+10% -10%

✖La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]

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Formule

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Concentration d'accepteur

Formule

`"N"_{"a"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"A"_{"j"})`

Exemple

`"7.9E^35/m³"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"5401.3µm²")`

Calculatrice

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Concentration d'accepteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.
Frais totaux de l'accepteur - (Mesuré en Coulomb) - La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.
Pénétration de charge de type N - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Frais totaux de l'accepteur: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Aucune conversion requise
Pénétration de charge de type N: 0.019 Micromètre --> 1.9E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Zone de jonction: 5401.3 Micromètre carré --> 5.4013E-09 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Évaluer ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.90644149770933E+35 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 par mètre cube <-- Concentration d'accepteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction

Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Longueur de la jonction côté P

Aller Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)

Largeur de transition de jonction

Aller Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)

Résistance série en type P

Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Résistance série en type N

Aller Résistance série dans la jonction N = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction P

Tension de jonction

Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Concentration des donateurs

Aller Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)

Zone transversale de jonction

Aller Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)

Concentration d'accepteur

Aller Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)

Largeur de type N

Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Frais totaux de l'accepteur

Aller Frais totaux de l'accepteur = [Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction*Concentration d'accepteur

Coefficient d'absorption

Aller Coefficient d'absorption = (-1/Épaisseur de l'échantillon)*ln(Pouvoir absorbé/Puissance incidente)

Pouvoir absorbé

Aller Pouvoir absorbé = Puissance incidente*exp(-Épaisseur de l'échantillon*Coefficient d'absorption)

Répartition nette des frais

Aller Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction = Décalage de longueur constante+Longueur de canal efficace

Nombre quantique

Aller Nombre quantique = [Coulomb]*Longueur potentielle du puits/3.14

Concentration d'accepteur Formule

Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

Quelles sont les concentrations d'électrons et de trous ?

La concentration d'électrons augmente à mesure que FE se rapproche de la bande de conduction. pour FE supérieur à v E de plusieurs kT . D'après ces équations, la concentration de trous dans la bande de valence est . Ainsi, la concentration de trous augmente à mesure que FE se rapproche de la bande de valence.

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