Acceptor concentratie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.ⓘ Totale acceptatiekosten [\|Q\|]			+10% -10%
✖Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.ⓘ Ladingspenetratie N-type [x_no]			+10% -10%
✖Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.ⓘ Verbindingsgebied [A_j]			+10% -10%

✖Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.ⓘ Acceptor concentratie [N_a]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Acceptor concentratie

Formule

`"N"_{"a"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"A"_{"j"})`

Voorbeeld

`"7.9E^35/m³"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"5401.3µm²")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden SSD-knooppunt Formules Pdf PDF Image

Acceptor concentratie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Acceptor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van een acceptor of doteringsatoom dat, wanneer het wordt gesubstitueerd in een halfgeleiderrooster, een p-type gebied vormt.
Totale acceptatiekosten - (Gemeten in Coulomb) - Total Acceptor Charge verwijst naar de totale netto lading geassocieerd met de acceptoratomen in een halfgeleidermateriaal of apparaat.
Ladingspenetratie N-type - (Gemeten in Meter) - Ladingspenetratie N-type verwijst naar het fenomeen waarbij extra elektronen van doteringsatomen, meestal fosfor of arseen, het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal binnendringen.
Verbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Het verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Totale acceptatiekosten: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Geen conversie vereist
Ladingspenetratie N-type: 0.019 Micrometer --> 1.9E-08 Meter (Bekijk de conversie hier)
Verbindingsgebied: 5401.3 Plein Micrometer --> 5.4013E-09 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Evalueren ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

7.90644149770933E+35 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 per kubieke meter <-- Acceptor concentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » SSD-knooppunt » Acceptor concentratie

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 SSD-knooppunt Rekenmachines

Verbindingscapaciteit

Gaan Verbindingscapaciteit = (Verbindingsgebied/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Constante lengteverschuiving*Dopingconcentratie van base)/(Bronspanning-Bronspanning 1))

Lengte van de P-zijde kruising

Gaan Lengte van de P-zijde kruising = (Optische Stroom/([Charge-e]*Verbindingsgebied*Optische generatiesnelheid))-(Junction Overgangsbreedte+Diffusielengte van overgangsgebied)

Junction Overgangsbreedte

Gaan Junction Overgangsbreedte = Ladingspenetratie N-type*((Acceptor concentratie+Donor concentratie)/Acceptor concentratie)

Serieweerstand in P-type

Gaan Serieweerstand in P-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in N-kruising

Serieweerstand in N-type

Gaan Serieweerstand in N-kruising = ((Bronspanning-Verbindingsspanning)/Elektrische stroom)-Serieweerstand in P-kruising

Junctiespanning

Gaan Verbindingsspanning = Bronspanning-(Serieweerstand in P-kruising+Serieweerstand in N-kruising)*Elektrische stroom

Dwarsdoorsnede van kruising

Gaan Verbindingsgebied = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Acceptor concentratie)

Breedte van het type N

Gaan Ladingspenetratie N-type = Totale acceptatiekosten/(Verbindingsgebied*Acceptor concentratie*[Charge-e])

Acceptor concentratie

Gaan Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)

Totale acceptatiekosten

Gaan Totale acceptatiekosten = [Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied*Acceptor concentratie

Donor concentratie

Gaan Donor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie P-type*Verbindingsgebied)

Absorptiecoëfficiënt

Gaan Absorptiecoëfficiënt = (-1/Monster Dikte)*ln(Opgenomen vermogen/Incidentele kracht)

Opgenomen vermogen

Gaan Opgenomen vermogen = Incidentele kracht*exp(-Monster Dikte*Absorptiecoëfficiënt)

Netto verdeling van kosten

Gaan Netto distributie = (Donor concentratie-Acceptor concentratie)/Gegradeerde constante

PN Junction Lengte

Gaan Verbindingslengte = Constante lengteverschuiving+Effectieve kanaallengte

Kwantum nummer

Gaan Kwantum nummer = [Coulomb]*Potentiële putlengte/3.14

Acceptor concentratie Formule

Acceptor concentratie = Totale acceptatiekosten/([Charge-e]*Ladingspenetratie N-type*Verbindingsgebied)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

Wat zijn de elektronen- en gatenconcentraties?

De elektronenconcentratie neemt toe naarmate FE dichter bij de geleidingsband komt. voor FE groter dan v E met meerdere kT. Uit deze vergelijkingen is de concentratie van gaten in de valentieband . De gatenconcentratie neemt dus toe naarmate FE dichter bij de valentieband komt.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!