Calculadora Concentración del aceptor

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Portadores de semiconductores

✖La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.ⓘ Cargo total del aceptador [\|Q\|]			+10% -10%
✖El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.ⓘ Penetración de carga tipo N [x_no]			+10% -10%
✖El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.ⓘ Área de unión [A_j]			+10% -10%

✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [N_a]

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Fórmula

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Concentración del aceptor

Fórmula

`"N"_{"a"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"A"_{"j"})`

Ejemplo

`"7.9E^35/m³"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"5401.3µm²")`

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Concentración del aceptor Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Variables utilizadas

Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
Cargo total del aceptador - (Medido en Culombio) - La carga total del aceptor se refiere a la carga neta total asociada con los átomos aceptores en un material o dispositivo semiconductor.
Penetración de carga tipo N - (Medido en Metro) - El tipo N de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que electrones adicionales de átomos dopantes, normalmente fósforo o arsénico, penetran en la red cristalina del material semiconductor.
Área de unión - (Medido en Metro cuadrado) - El área de unión es el área límite o de interfaz entre dos tipos de materiales semiconductores en un diodo pn.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Cargo total del aceptador: 13 Culombio --> 13 Culombio No se requiere conversión
Penetración de carga tipo N: 0.019 Micrómetro --> 1.9E-08 Metro (Verifique la conversión aquí)
Área de unión: 5401.3 Micrómetro cuadrado --> 5.4013E-09 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Evaluar ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

7.90644149770933E+35 1 por metro cúbico --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 por metro cúbico <-- Concentración del aceptor

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Concentración del aceptor Fórmula

Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

¿Cuáles son las concentraciones de electrones y huecos?

La concentración de electrones aumenta a medida que FE se acerca a la banda de conducción. para FE mayor que v E por varios kT. A partir de estas ecuaciones, la concentración de huecos en la banda de valencia es . Por lo tanto, la concentración de huecos aumenta a medida que FE se acerca a la banda de valencia.

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