Capacité de jonction Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.ⓘ Zone de jonction [A_j]			+10% -10%
✖Le décalage de longueur constante fait référence à un ajustement fixe ou constant qui est ajouté ou soustrait d'une longueur mesurée ou spécifiée.ⓘ Décalage de longueur constante [k]			+10% -10%
✖La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.ⓘ Concentration de dopage de la base [N_B]			+10% -10%
✖La tension de source est la différence de potentiel électrique entre deux points, qui est définie comme le travail nécessaire par unité de charge pour déplacer une charge de test entre les deux points.ⓘ Tension source [V]			+10% -10%
✖La tension de source 1 est la pression de la source d'alimentation d'un circuit électrique qui pousse les électrons chargés (courant) à travers une boucle conductrice, leur permettant d'effectuer un travail tel que l'éclairage d'une lumière.ⓘ Tension d'alimentation 1 [V₁]			+10% -10%

✖La capacité de jonction est définie comme la capacité qui se forme dans une diode à jonction PN sous polarisation inverse.ⓘ Capacité de jonction [C_j]

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Formule

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Capacité de jonction

Formule

`"C"_{"j"} = ("A"_{"j"}/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"k"*"N"_{"B"})/("V"-"V"_{"1"}))`

Exemple

`"0.02304μF"=("5401.3µm²"/2)*sqrt((2*"[Charge-e]"*"1.59μm"*"1e28/m³")/("120V"-"50V"))`

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Capacité de jonction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))
C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁))
Cette formule utilise 1 Constantes, 1 Les fonctions, 6 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Capacité de jonction - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction est définie comme la capacité qui se forme dans une diode à jonction PN sous polarisation inverse.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.
Décalage de longueur constante - (Mesuré en Mètre) - Le décalage de longueur constante fait référence à un ajustement fixe ou constant qui est ajouté ou soustrait d'une longueur mesurée ou spécifiée.
Concentration de dopage de la base - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de dopage de la base est le nombre d'impuretés ajoutées à la base.
Tension source - (Mesuré en Volt) - La tension de source est la différence de potentiel électrique entre deux points, qui est définie comme le travail nécessaire par unité de charge pour déplacer une charge de test entre les deux points.
Tension d'alimentation 1 - (Mesuré en Volt) - La tension de source 1 est la pression de la source d'alimentation d'un circuit électrique qui pousse les électrons chargés (courant) à travers une boucle conductrice, leur permettant d'effectuer un travail tel que l'éclairage d'une lumière.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Zone de jonction: 5401.3 Micromètre carré --> 5.4013E-09 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Décalage de longueur constante: 1.59 Micromètre --> 1.59E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Concentration de dopage de la base: 1E+28 1 par mètre cube --> 1E+28 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Tension source: 120 Volt --> 120 Volt Aucune conversion requise
Tension d'alimentation 1: 50 Volt --> 50 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_j = (A_j/2)*sqrt((2*[Charge-e]*k*N_B)/(V-V₁)) --> (5.4013E-09/2)*sqrt((2*[Charge-e]*1.59E-06*1E+28)/(120-50))

Évaluer ... ...

C_j = 2.30402951890085E-08

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.30402951890085E-08 Farad -->0.0230402951890085 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.0230402951890085 ≈ 0.02304 microfarades <-- Capacité de jonction

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction

Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Longueur de la jonction côté P

Aller Longueur de la jonction côté P = (Courant optique/([Charge-e]*Zone de jonction*Taux de génération optique))-(Largeur de transition de jonction+Longueur de diffusion de la région de transition)

Largeur de transition de jonction

Aller Largeur de transition de jonction = Pénétration de charge de type N*((Concentration d'accepteur+Concentration des donateurs)/Concentration d'accepteur)

Résistance série en type P

Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Résistance série en type N

Aller Résistance série dans la jonction N = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction P

Tension de jonction

Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Concentration des donateurs

Aller Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)

Zone transversale de jonction

Aller Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)

Concentration d'accepteur

Aller Concentration d'accepteur = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction)

Largeur de type N

Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Frais totaux de l'accepteur

Aller Frais totaux de l'accepteur = [Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Zone de jonction*Concentration d'accepteur

Coefficient d'absorption

Aller Coefficient d'absorption = (-1/Épaisseur de l'échantillon)*ln(Pouvoir absorbé/Puissance incidente)

Pouvoir absorbé

Aller Pouvoir absorbé = Puissance incidente*exp(-Épaisseur de l'échantillon*Coefficient d'absorption)

Répartition nette des frais

Aller Répartition nette = (Concentration des donateurs-Concentration d'accepteur)/Constante graduée

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction = Décalage de longueur constante+Longueur de canal efficace

Nombre quantique

Aller Nombre quantique = [Coulomb]*Longueur potentielle du puits/3.14

Capacité de jonction Formule

Quelle est la capacité de jonction comment elle varie avec la polarisation?

Une diode peut avoir deux capacités différentes, à savoir la capacité de jonction et la capacité de diffusion. Capacité de jonction : elle est dominante lorsque la diode est polarisée en inverse et résulte de la charge stockée dans la couche d'appauvrissement.

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