Concentrazione dell'accettore calcolatrice

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✖La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.ⓘ Carica totale dell'accettore [\|Q\|]			+10% -10%
✖La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.ⓘ Penetrazione di carica di tipo N [x_no]			+10% -10%
✖L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.ⓘ Zona di giunzione [A_j]			+10% -10%

✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]

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Formula

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Concentrazione dell'accettore

Formula

`"N"_{"a"} = "|Q|"/("[Charge-e]"*"x"_{"no"}*"A"_{"j"})`

Esempio

`"7.9E^35/m³"="13C"/("[Charge-e]"*"0.019μm"*"5401.3µm²")`

Calcolatrice

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Concentrazione dell'accettore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di un atomo accettore o drogante che quando viene sostituito in un reticolo semiconduttore forma una regione di tipo p.
Carica totale dell'accettore - (Misurato in Coulomb) - La carica totale dell'accettore si riferisce alla carica netta complessiva associata agli atomi accettore in un materiale o dispositivo semiconduttore.
Penetrazione di carica di tipo N - (Misurato in metro) - La penetrazione di carica di tipo N si riferisce al fenomeno in cui elettroni aggiuntivi da atomi droganti, tipicamente fosforo o arsenico, penetrano nel reticolo cristallino del materiale semiconduttore.
Zona di giunzione - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di giunzione è l'area di confine o di interfaccia tra due tipi di materiali semiconduttori in un diodo pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Carica totale dell'accettore: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Nessuna conversione richiesta
Penetrazione di carica di tipo N: 0.019 Micrometro --> 1.9E-08 metro (Controlla la conversione qui)
Zona di giunzione: 5401.3 Piazza Micrometro --> 5.4013E-09 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*5.4013E-09)

Valutare ... ...

N_a = 7.90644149770933E+35

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.90644149770933E+35 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

7.90644149770933E+35 ≈ 7.9E+35 1 per metro cubo <-- Concentrazione dell'accettore

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 16 Giunzione SSD Calcolatrici

Lunghezza della giunzione lato P

Partire Lunghezza della giunzione lato P = (Corrente ottica/([Charge-e]*Zona di giunzione*Velocità di generazione ottica))-(Larghezza di transizione della giunzione+Lunghezza di diffusione della regione di transizione)

Capacità di giunzione

Partire Capacità di giunzione = (Zona di giunzione/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Offset di lunghezza costante*Concentrazione drogante della base)/(Tensione sorgente-Tensione sorgente 1))

Larghezza di transizione della giunzione

Partire Larghezza di transizione della giunzione = Penetrazione di carica di tipo N*((Concentrazione dell'accettore+Concentrazione dei donatori)/Concentrazione dell'accettore)

Resistenza in serie nel tipo P

Partire Resistenza in serie nella giunzione P = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione N

Resistenza in serie di tipo N

Partire Resistenza in serie nella giunzione N = ((Tensione sorgente-Tensione di giunzione)/Corrente elettrica)-Resistenza in serie nella giunzione P

Tensione di giunzione

Partire Tensione di giunzione = Tensione sorgente-(Resistenza in serie nella giunzione P+Resistenza in serie nella giunzione N)*Corrente elettrica

Area di giunzione in sezione trasversale

Partire Zona di giunzione = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Concentrazione dell'accettore)

Concentrazione dell'accettore

Partire Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)

Larghezza tipo N

Partire Penetrazione di carica di tipo N = Carica totale dell'accettore/(Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore*[Charge-e])

Carica totale dell'accettore

Partire Carica totale dell'accettore = [Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione*Concentrazione dell'accettore

Concentrazione dei donatori

Partire Concentrazione dei donatori = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo P*Zona di giunzione)

Coefficiente di assorbimento

Partire Coefficiente di assorbimento = (-1/Spessore del campione)*ln(Potenza assorbita/Potere incidente)

Potenza assorbita

Partire Potenza assorbita = Potere incidente*exp(-Spessore del campione*Coefficiente di assorbimento)

Distribuzione netta della carica

Partire Distribuzione netta = (Concentrazione dei donatori-Concentrazione dell'accettore)/Costante graduata

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione = Offset di lunghezza costante+Lunghezza effettiva del canale

Numero quantico

Partire Numero quantico = [Coulomb]*Lunghezza potenziale del pozzo/3.14

Concentrazione dell'accettore Formula

Concentrazione dell'accettore = Carica totale dell'accettore/([Charge-e]*Penetrazione di carica di tipo N*Zona di giunzione)
N_a = |Q|/([Charge-e]*x_no*A_j)

Quali sono le concentrazioni di elettroni e lacune?

La concentrazione di elettroni aumenta quando FE si avvicina alla banda di conduzione. per FE maggiore di v E di diversi kT . Da queste equazioni, la concentrazione di lacune nella banda di valenza è . Pertanto la concentrazione del foro aumenta man mano che FE si avvicina alla banda di valenza.

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