Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N Calculatrice

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Paramètres électrostatiques

✖La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.ⓘ Concentration des donateurs [N_d]			+10% -10%
✖La mobilité de l'électron est définie comme l'amplitude de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.ⓘ Mobilité de l'électron [μ_n]			+10% -10%

✖La conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) est la mesure de la facilité avec laquelle une charge électrique ou de la chaleur peut traverser un matériau semi-conducteur extrinsèque de type n.ⓘ Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N [σ_n]

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Formule

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Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Formule

`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

Exemple

`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

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Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) - (Mesuré en Siemens / mètre) - La conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) est la mesure de la facilité avec laquelle une charge électrique ou de la chaleur peut traverser un matériau semi-conducteur extrinsèque de type n.
Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur est la concentration d'électrons dans l'état donneur.
Mobilité de l'électron - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité de l'électron est définie comme l'amplitude de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des donateurs: 2E+17 1 par mètre cube --> 2E+17 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Mobilité de l'électron: 180 Mètre carré par volt par seconde --> 180 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

Évaluer ... ...

σ_n = 5.767835832

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.767835832 Siemens / mètre --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

5.767835832 ≈ 5.767836 Siemens / mètre <-- Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n)

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

Vérifié par Équipe Softusvista

Bureau de Softusvista (Pune), Inde

Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs

Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)

Fonction de répartition de Fermi Dirac

Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous

Longueur de diffusion d'électrons

Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)

Écart de bande d'énergie

Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques

Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2

Densité de courant de dérive

Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique

Mobilité des Porteurs de Charge

Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Tension de saturation utilisant la tension de seuil

Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil

Champ électrique dû à la tension Hall

Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N Formule

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

Que sont les semi-conducteurs extrinsèques?

Les semi-conducteurs extrinsèques ne sont que des semi-conducteurs intrinsèques qui ont été dopés avec des atomes d'impuretés (défauts de substitution unidimensionnels dans ce cas). Le dopage est le processus par lequel les semi-conducteurs augmentent leur conductivité électrique en introduisant des atomes de différents éléments dans leur réseau.

Qu'est-ce qu'un semi-conducteur extrinsèque de type N?

Un semi-conducteur de type n est créé lorsque des semi-conducteurs purs, comme Si et Ge, sont dopés avec des éléments pentavalents. lorsqu'un semi-conducteur est dopé avec un atome pentavalent, les électrons sont les porteurs de charge majoritaires. D'autre part, les trous sont les porteurs de charge minoritaires. Par conséquent, ces semi-conducteurs extrinsèques sont appelés semi-conducteurs de type n. Dans un semi-conducteur de type n, Nombre d'électrons libres >> Nombre de trous

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